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集成电路布图设计专有权公告(2018年9月12日)
发布时间:2018-09-12

布图设计登记号:BS.175536368
布图设计申请日:2017年11月2日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16698
布图设计名称:基于P2P协议的高速发送接口IP核
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑-存储-其他
布图设计权利人:李斌
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
布图设计创作人:成都纳能微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年9月14日


布图设计登记号:BS.175539308
布图设计申请日:2017年12月4日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16699
布图设计名称:电源调制接收电路IP核
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑-存储-其他
布图设计权利人:成都纳能微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
布图设计创作人:成都纳能微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年12月6日


布图设计登记号:BS.175539340
布图设计申请日:2017年12月4日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16700
布图设计名称:USB2.0 无晶振PHY IP核
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑-存储-微型计算机-其他
布图设计权利人:成都纳能微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
布图设计创作人:成都纳能微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年10月4日


布图设计登记号:BS.175009538
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16701
布图设计名称:GD32F303XX GD32F305XX GD32F307XX GD32F403XX
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:北京兆易创新科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
布图设计创作人:于明、杜兴兴、于彩灯、黄雪晴、段海洁
代理机构:北京品源专利代理有限公司
代理人:胡彬
布图设计创作完成日:2016年9月27日
布图设计首次商业利用日:2017年2月1日


布图设计登记号:BS.175537097
布图设计申请日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16702
布图设计名称:ADC_DAC转换电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年1月16日
布图设计首次商业利用日:2017年8月28日


布图设计登记号:BS.175537100
布图设计申请日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16703
布图设计名称:外置电阻设置输出电流的LED恒流驱动电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年7月19日
布图设计首次商业利用日:2016年10月9日


布图设计登记号:BS.175537135
布图设计申请日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16704
布图设计名称:低压编解码电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年4月1日
布图设计首次商业利用日:2017年9月16日


布图设计登记号:BS.175537178
布图设计申请日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16705
布图设计名称:通过电源线接收数据的LED恒流驱动电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年8月11日
布图设计首次商业利用日:2017年10月23日


布图设计登记号:BS.175537186
布图设计申请日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16706
布图设计名称:频率发生器电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年6月14日
布图设计首次商业利用日:2017年10月23日


布图设计登记号:BS.175537348
布图设计申请日:2017年11月15日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16707
布图设计名称:高灰度大电流输出的LED恒流驱动电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人:无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年6月16日
布图设计首次商业利用日:2017年9月18日


布图设计登记号:BS.175009570
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16708
布图设计名称:MOSFET 1N65 Drive MOS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海宝芯源功率半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人:王凡
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2015年1月1日


布图设计登记号:BS.175009589
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16709
布图设计名称:MOSFET 4N65
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海宝芯源功率半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人:王凡
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2015年1月1日


布图设计登记号:BS.175009597
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16710
布图设计名称:MOSFET 2N60
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海宝芯源功率半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人:王凡
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2015年1月1日


布图设计登记号:BS.175009600
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告号:16711
布图设计名称:MOSFET 1N65
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海宝芯源功率半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人:王凡
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2015年1月1日