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集成电路布图设计专有权公告(2019年10月18日)
发布时间:2019-10-18

布图设计登记号:BS.185572197
布图设计申请日:2018年11月28日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20365
布图设计名称:一种工业应用条码解码芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:福州符号信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园D区1号楼402室
布图设计创作人:宋少龙
代理机构:福州科扬专利事务所
代理人:罗立君
布图设计创作完成日:2018年3月21日


布图设计登记号:BS.185572359
布图设计申请日:2018年11月29日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20366
布图设计名称:MTC21
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:福建省福芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D单元
布图设计创作人:徐黎
代理机构:福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人:林祥翔
布图设计创作完成日:2018年1月15日
布图设计首次商业利用日:2018年5月18日


布图设计登记号:BS.185572367
布图设计申请日:2018年11月29日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20367
布图设计名称:PL01
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:福建省福芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D单元
布图设计创作人:徐黎
代理机构:福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人:林祥翔
布图设计创作完成日:2018年1月15日
布图设计首次商业利用日:2018年5月18日


布图设计登记号:BS.185012361
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20368
布图设计名称:ME32F
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:微型计算机
布图设计权利人:敏矽微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区纳贤路800号1幢302-304室
布图设计创作人:张乐、江永林、刘家辉、刘峰
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年4月28日


布图设计登记号:BS.18501237X
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20369
布图设计名称:ME32S
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:微型计算机
布图设计权利人:敏矽微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区纳贤路800号1幢302-04室
布图设计创作人:刘峰、刘家辉、张乐、江永林
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年8月25日


布图设计登记号:BS.185012388
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20370
布图设计名称:AP3768
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:微型计算机
布图设计权利人:菁音电子科技(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市闵行区古美路1515号19号楼20楼
布图设计创作人:林骏、何小学
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年2月9日


布图设计登记号:BS.185012396
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20371
布图设计名称:A1
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:菁音电子科技(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市闵行区古美路1515号19号楼20楼
布图设计创作人:林骏、何小学
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年2月9日


布图设计登记号:BS.185012418
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20372
布图设计名称:VSIRFANA01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年3月15日


布图设计登记号:BS.185012426
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20373
布图设计名称:VSISARADC01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年11月15日


布图设计登记号:BS.185012434
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20374
布图设计名称:VSISCFBLK
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年1月8日


布图设计登记号:BS.185012442
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20375
布图设计名称:VSIUSB20PHY01TX
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年12月28日


布图设计登记号:BS.185012450
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20376
布图设计名称:VSIVCO
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年5月10日


布图设计登记号:BS.185012469
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20377
布图设计名称:VSILPRASP282018
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年1月24日


布图设计登记号:BS.185012477
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20378
布图设计名称:VSIMCSF2705RF
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年1月30日


布图设计登记号:BS.185012485
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20379
布图设计名称:VSIMIXER
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年7月27日


布图设计登记号:BS.185012493
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20380
布图设计名称:VSIOTGUSB11
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2012年10月11日


布图设计登记号:BS.185012507
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20381
布图设计名称:VSIPIPELINEADC01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年5月17日


布图设计登记号:BS.185012515
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20382
布图设计名称:VSILDO04
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年5月17日


布图设计登记号:BS.185012523
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20383
布图设计名称:VSILNA
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年1月20日


布图设计登记号:BS.185012531
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20384
布图设计名称:VSIHSSRX01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年10月18日


布图设计登记号:BS.18501254X
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20385
布图设计名称:VSIHSS01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年10月2日


布图设计登记号:BS.185012558
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20386
布图设计名称:VSIDPHY01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年3月28日


布图设计登记号:BS.185012566
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20387
布图设计名称:VSIDCDC03
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年7月6日


布图设计登记号:BS.185012574
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20388
布图设计名称:VSIBATCHRG01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2017年7月6日


布图设计登记号:BS.185012582
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20389
布图设计名称:VSIAFERX01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年2月20日


布图设计登记号:BS.185012590
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20390
布图设计名称:VSIR2RDAC03
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年2月12日


布图设计登记号:BS.185012604
布图设计申请日:2018年10月31日
公告日期:2019年10月18日
公告号:20391
布图设计名称:VSIPMUTRIM01
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:芯原微电子(上海)股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原控股有限公司
布图设计权利人国籍:英国
布图设计权利人地址:开曼群岛大开曼乔治敦南教堂街优格兰院309GT信箱
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2018年3月26日