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集成电路布图设计专有权公告(2019年11月13日)
发布时间:2019-11-13

布图设计登记号:BS.185013627
布图设计申请日:2018年11月24日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20527
布图设计名称:XWDPV1A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:无锡矽微智能科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市新吴区中国传感器大学科技园530大厦C906
布图设计创作人:黄丹、荣俊标、周威威、方震、尹喜珍
代理机构:无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人:殷红梅
布图设计创作完成日:2018年11月12日


布图设计登记号:BS.185013635
布图设计申请日:2018年11月24日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20528
布图设计名称:XWDPV1B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:无锡矽微智能科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市新吴区中国传感器大学科技园530大厦C906
布图设计创作人:王婵、荣俊标、周威威、方震、尹喜珍
代理机构:无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人:殷红梅
布图设计创作完成日:2018年11月12日


布图设计登记号:BS.18557324X
布图设计申请日:2018年12月7日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20529
布图设计名称:一种传感器接口电路的设计版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:秦皇岛中科纳川电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:河北省秦皇岛市经济技术开发区数谷翔园1号楼
布图设计创作人:张旭
布图设计创作完成日:2018年5月7日


布图设计登记号:BS.18557419X
布图设计申请日:2018年12月17日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20530
布图设计名称:多通道信号处理采样模数转换芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性-其他
布图设计权利人:南京南瑞微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区软件大道180号6栋1楼
布图设计创作人:许鹏、张弛、徐鸿达、汤颢
代理机构:北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人:王斌
布图设计创作完成日:2017年11月29日


布图设计登记号:BS.185013511
布图设计申请日:2018年11月23日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20531
布图设计名称:ADJ编解码芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:中国电子科技集团公司第20研究所
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:陕西省西安市雁塔区白沙路1号
布图设计创作人:张琦、马跃、操炜鼎、张帆、张文华
代理机构:西北工业大学专利中心
代理人:吕湘连
布图设计创作完成日:2018年6月3日


布图设计登记号:BS.185013864
布图设计申请日:2018年11月30日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20532
布图设计名称:RTC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:珠海亿智电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市珠海高新区唐家湾镇港乐路8号大洲科技园B区厂房803室
布图设计创作人:文赞、刘小文
布图设计创作完成日:2018年10月26日


布图设计登记号:BS.185013872
布图设计申请日:2018年11月30日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20533
布图设计名称:DPLL
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:珠海亿智电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市珠海高新区唐家湾镇港乐路8号大洲科技园B区厂房803室
布图设计创作人:文赞、刘小文
布图设计创作完成日:2018年7月18日


布图设计登记号:BS.185560741
布图设计申请日:2018年8月7日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20534
布图设计名称:带隙基准电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人:肖珺
代理机构:上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:董琳
布图设计创作完成日:2018年5月29日


布图设计登记号:BS.185569773
布图设计申请日:2018年11月7日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20535
布图设计名称:64层3D NAND 中的GBSG信号产生电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人:冯真真、李辰阳
代理机构:上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:董琳
布图设计创作完成日:2018年6月3日


布图设计登记号:BS.18556979X
布图设计申请日:2018年11月7日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20536
布图设计名称:64层3D NAND 中的GLOBAL_VZONE_SW电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人:冯真真、李辰阳
代理机构:上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:董琳
布图设计创作完成日:2018年5月9日


布图设计登记号:BS.185570275
布图设计申请日:2018年11月14日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20537
布图设计名称:64层3D NAND 中的GTSG信号产生电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人:冯真真、李辰阳
代理机构:上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:董琳
布图设计创作完成日:2018年6月5日


布图设计登记号:BS.185570283
布图设计申请日:2018年11月14日
公告日期:2019年11月13日
公告号:20538
布图设计名称:64层3D NAND 中的VSSX_MUX_PERI电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人:冯真真、李辰阳
代理机构:上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:董琳
布图设计创作完成日:2018年5月22日