专 利 号： 85101617.0
专利权人： 中国科学院福建物质结构研究所
发 明 人： 江爱栋
简介：晶体生长技术是科技领域中一项高科技。本发明技术主要特点是，经长期研究，确定了低温相偏硼酸钡是一种优良的非线性光学、热电等多功能材料，并证实该晶体在非线性光学方面，尤其在紫外倍频方面有非常广阔的应用前景；在热电的特殊应用范围也有其独到之处。因此生长这种晶体成为发明的关键，该发明通过新的助熔剂、特殊的固定籽晶方式、特别的晶体转动形式、特殊的温度程序和独特的出炉方式生长出低温相偏硼酸钡单晶。由于用该晶体做成的器件在200～1500nm波段可实现相位匹配，有效非线性系数在1064nm时是KDP的6倍，光损伤阈值高达13.5GW/cm，由于它具有温度稳定性好、晶体机械性能稳定和不易潮解等优点，所以在红外、可见、紫外光区的激光倍频、和频和光参量振荡器件中有广泛的应用。
该发明专利实施以来，产品主要销往美、日、德、前苏联、法、加拿大、英等十四个国家和 地区。产品销售额达3485万元，创利润达2091万元，获取外汇收入684万美元。