专利号： 8510 0131
专利权人：清华大学
发明人： 钱佩信等
本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。其发明特征是该设备由机械传动和控制机构、变色红外接触式测温仪、高频加热炉、充保护气装置和石英退火腔等五部分组成，整个退火过程在充保护气条件下进行，利用高频感应加热石墨板作为热源，热处理时样品位于两块石墨板之间，石墨板从两面加热样品。本发明既适于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅PN结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入半导体退火，还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难溶金属硅化物形成和浅PN结的 欧姆结制作。与已往退火设备比较，样品升温快；设备简单，操作方便，生产效率高；被退火的硅片不翘曲，不发生晶体滑移；采用石英退火腔既容易清洗又能较好地避免重金属离子沾污；电激活率高且注入离子再扩散小。
1984年以来，全国12个单位应用了本发明设备13台，有效地促进了科研、教学的发展，避免进口同类产品，为国家节省了大量外汇；每台设备若每年工作300小时，可节约14万度电；设备成本低，性能好，在国际市场上有较强的竞争能力。