布图设计登记号：BS.115010564
布图设计申请日：2011年10月25日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5253
布图设计名称：低功耗、低压差电压稳压器芯片NCUT3130
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：北方工业大学
布图设计权利人国籍/省市：北京
布图设计权利人地址：北京市石景山区晋元庄路5号
布图设计创作人：北方工业大学
布图设计创作完成日：2011年07月15日
布图设计登记号：BS.115010572
布图设计申请日：2011年10月25日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5254
布图设计名称：多用途手柄控制器电路NCUT3372
布图设计类别：
结构：其他
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北方工业大学
布图设计权利人国籍/省市：北京
布图设计权利人地址：北京市石景山区晋元庄路5号
布图设计创作人：北方工业大学
布图设计创作完成日：2011年08月11日
布图设计登记号：BS.115011129
布图设计申请日：2011年11月15日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5255
布图设计名称：Z8H128D32CP
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：国民技术股份有限公司
布图设计权利人国籍/省市：深圳
布图设计权利人地址：深圳市南山区高新南一道中国科技开发院三号楼塔楼12楼
布图设计创作人：何汝标、袁权、郑新建、陶灵
代理机构:北京轻创知识产权代理有限公司
代理人:杨立
布图设计创作完成日：2011年06月01日
布图设计登记号：BS.115011552
布图设计申请日：2011年11月22日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5256
布图设计名称：Z32D1024
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：国民技术股份有限公司
布图设计权利人国籍/省市：深圳
布图设计权利人地址：深圳市南山区高新南一道中国科技开发院三号楼塔楼12楼
布图设计创作人：何汝标、廖锦强
布图设计创作完成日：2011年01月12日
布图设计登记号：BS.115006826
布图设计申请日：2011年07月12日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5257
布图设计名称：GK0024 1.25W单声道音频功率放大器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：成都成电硅海科技股份有限公司
布图设计权利人国籍/省市：四川
布图设计权利人地址：四川省成都市高新区天府大道天府软件园B区6号楼五层
布图设计创作人：高继
布图设计创作完成日：2011年04月26日
布图设计登记号：BS.115006907
布图设计申请日：2011年07月12日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5258
布图设计名称：GK014 1.25W单声道音频功率放大器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：成都成电硅海科技股份有限公司
布图设计权利人国籍/省市：四川
布图设计权利人地址：四川省成都市高新区天府大道天府软件园B区6号楼五层
布图设计创作人：高继、李向华、向本才、李文昌、于廷江、黄国辉
布图设计创作完成日：2011年06月03日
布图设计登记号：BS.115006923
布图设计申请日：2011年07月12日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5259
布图设计名称：GK016 带停机模式2.2W音频功率放大器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：成都成电硅海科技股份有限公司
布图设计权利人国籍/省市：四川
布图设计权利人地址：四川省成都市高新区天府大道天府软件园B区6号楼五层
布图设计创作人：高继、李向华
布图设计创作完成日：2011年06月03日
布图设计登记号：BS.115007237
布图设计申请日：2011年07月15日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5260
布图设计名称：消防应急与疏散指示系统芯片 HN1103
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：广州汇佳电子科技有限公司
布图设计权利人国籍/省市：广州
布图设计权利人地址：广东省广州市天河区能源路华南理工大学北区国家大学科技园2号楼3楼
布图设计共同权利人：刘国清
布图设计共同权利人国籍/省市：广州
布图设计共同权利人地址：广东省广州市天河区天府路237号C905
布图设计创作人：广州汇佳电子科技有限公司
布图设计创作完成日：2011年03月04日
布图设计首次商业利用日：2011年06月05日
布图设计登记号：BS.115007261
布图设计申请日：2011年07月28日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5261
布图设计名称：E1374
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：厦门理挚半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍/省市：福建
布图设计权利人地址：福建省厦门市软件园二期观日路34号北楼401B室
布图设计创作人：厦门理挚半导体科技有限公司
布图设计创作完成日：2011年04月15日
布图设计登记号：BS.115008292
布图设计申请日：2011年08月27日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5262
布图设计名称：1A带使能端超低压差线性调压器AP2318A
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：上海新进芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市：上海
布图设计权利人地址：上海市闵行区紫星路1600号
布图设计创作人：王慧
布图设计创作完成日：2010年02月22日
布图设计首次商业利用日：2010年06月22日
布图设计登记号：BS.115008306
布图设计申请日：2011年08月27日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5263
布图设计名称：双通道模拟4路输出选择器/复用器AZ4052
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：上海新进芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市：上海
布图设计权利人地址：上海市闵行区紫星路1600号
布图设计创作人：沈振宇
布图设计创作完成日：2010年07月15日
布图设计首次商业利用日：2010年10月29日
布图设计登记号：BS.115008314
布图设计申请日：2011年08月27日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5264
布图设计名称：2A CMOS线性调压器AP2132/A/B
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：上海新进芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市：上海
布图设计权利人地址：上海市闵行区紫星路1600号
布图设计创作人：王燕萍
布图设计创作完成日：2009年07月19日
布图设计首次商业利用日：2009年09月19日
布图设计登记号：BS.115008322
布图设计申请日：2011年08月27日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5265
布图设计名称：300mA 高速度超低噪音线性调压器AP2126/7
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：上海新进芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市：上海
布图设计权利人地址：上海市闵行区紫星路1600号
布图设计创作人：岳利
布图设计创作完成日：2009年03月10日
布图设计首次商业利用日：2009年09月12日
布图设计登记号：BS.115008330
布图设计申请日：2011年08月27日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5266
布图设计名称：300mA高速度超低噪音线性调压器AP2128/A
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：上海新进芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市：上海
布图设计权利人地址：上海市闵行区紫星路1600号
布图设计创作人：周晶
布图设计创作完成日：2010年09月21日
布图设计首次商业利用日：2010年11月25日
布图设计登记号：BS.115008349
布图设计申请日：2011年08月27日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5267
布图设计名称：双通道300mA线性调压器AP2402
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：上海新进芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市：上海
布图设计权利人地址：上海市闵行区紫星路1600号
布图设计创作人：管磊
布图设计创作完成日：2008年04月29日
布图设计首次商业利用日：2009年09月12日
布图设计登记号：BS.115008543
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5268
布图设计名称：基于0.18um工艺的单频段电力线载波通信芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：北京华强智连微电子有限责任公司
布图设计权利人国籍/省市：北京
布图设计权利人地址：北京市海淀区中关村东路66号世纪科贸大厦B座2202室
布图设计创作人：北京华强智连微电子有限责任公司
布图设计创作完成日：2011年06月30日
布图设计登记号：BS.115008551
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5269
布图设计名称：ADM1276
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2010年10月26日
布图设计首次商业利用日：2011年05月06日
布图设计登记号：BS.11500856X
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5270
布图设计名称：ADSP-BF504/504F/506F
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2009年07月07日
布图设计首次商业利用日：2010年07月10日
布图设计登记号：BS.115008578
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5271
布图设计名称：AD5816
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2011年03月22日
布图设计首次商业利用日：2011年05月06日
布图设计登记号：BS.115008586
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5272
布图设计名称：ADG5208/09
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2011年01月26日
布图设计首次商业利用日：2011年07月22日
布图设计登记号：BS.115008594
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5273
布图设计名称：ADG5236
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2011年01月12日
布图设计首次商业利用日：2011年07月27日
布图设计登记号：BS.115008608
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5274
布图设计名称：ADUX1001
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2011年03月15日
布图设计首次商业利用日：2011年04月20日
布图设计登记号：BS.115008616
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5275
布图设计名称：ADN4605
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2011年01月28日
布图设计首次商业利用日：2011年04月19日
布图设计登记号：BS.115008624
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5276
布图设计名称：AD9649
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2009年10月14日
布图设计首次商业利用日：2010年07月29日
布图设计登记号：BS.115008632
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5277
布图设计名称：AD9434
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2010年11月19日
布图设计首次商业利用日：2011年01月21日
布图设计登记号：BS.115008640
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5278
布图设计名称：ADG5233
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2011年07月19日
布图设计首次商业利用日：2011年07月27日
布图设计登记号：BS.115008659
布图设计申请日：2011年09月02日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5279
布图设计名称：ADSP-21483/86/87/88/89
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:康建忠
布图设计创作完成日：2009年08月08日
布图设计首次商业利用日：2010年01月21日
布图设计登记号：BS.115009477
布图设计申请日：2011年09月21日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5280
布图设计名称：ICN2024A
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：北京集创北方科技有限公司
布图设计权利人国籍/省市：北京
布图设计权利人地址：北京市海淀区北三环中路31号4号楼（泰思特大厦）13层
布图设计创作人：北京集创北方科技有限公司
布图设计创作完成日：2011年02月28日
布图设计登记号：BS.115009485
布图设计申请日：2011年09月21日
公告日期：2012年02月29日
公告号：5281
布图设计名称：ICN2024B
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：北京集创北方科技有限公司
布图设计权利人国籍/省市：北京
布图设计权利人地址：北京市海淀区北三环中路31号4号楼（泰思特大厦）13层
布图设计创作人：北京集创北方科技有限公司
布图设计创作完成日：2011年06月30日