布图设计登记号：BS.135015863
布图设计申请日：2013年12月13日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8718
布图设计名称：ADG1204F
布图设计类别：
结构：MOS_其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:申发振
布图设计创作完成日:2012年11月1日
布图设计首次商业利用日:2013年5月1日
布图设计登记号：BS.135015871
布图设计申请日：2013年12月13日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8719
布图设计名称：AD8244
布图设计类别：
结构：Bipolar_其他
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:申发振
布图设计创作完成日:2012年5月15日
布图设计首次商业利用日:2013年1月31日
布图设计登记号：BS.13501588X
布图设计申请日：2013年12月13日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8720
布图设计名称：ADM7150
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:申发振
布图设计创作完成日:2013年1月15日
布图设计首次商业利用日:2013年4月23日
布图设计登记号：BS.135016142
布图设计申请日：2013年12月25日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8721
布图设计名称：SP6602高性能PWM模式AC/DC转换电路
布图设计类别：
结构：其他
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：无锡硅动力微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市新区珠江路51号
布图设计创作人：林春艳、邵红、杨磊、吴建国
代理机构：无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）
代理人:曹祖良
布图设计创作完成日:2013年9月13日
布图设计首次商业利用日:2013年11月12日
布图设计登记号：BS.135016525
布图设计申请日：2013年11月1日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8722
布图设计名称：GD32F101RX/VX/ZX GD32F103RX/VX/ZX GD32F105RX/VX/ZX GD32F107RX/VX/ZX
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京兆易创新科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
布图设计创作人：于明、李萍、段海洁
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人:胡彬
布图设计创作完成日:2013年7月16日
布图设计登记号：BS.135016967
布图设计申请日：2013年12月29日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8723
布图设计名称：PTSMD27A(6+1 通道数码摄像/数码照相机马达驱动芯片)
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：普诚科技（深圳）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区高新区南区七道数字技术园B2栋6楼A区
布图设计创作人：陈胜琴、黄锦
代理机构：深圳市康弘知识产权代理有限公司
代理人:胡朝阳
布图设计创作完成日:2012年5月5日
布图设计首次商业利用日:2012年8月20日
布图设计登记号：BS.135016975
布图设计申请日：2013年12月29日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8724
布图设计名称：PTSLE16C(升压型四通道背光芯片)
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：普诚科技（深圳）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区高新区南区七道数字技术园B2栋6楼A区
布图设计创作人：孙丽香、陈胜琴
代理机构：深圳市康弘知识产权代理有限公司
代理人:胡朝阳
布图设计创作完成日:2012年7月4日
布图设计首次商业利用日:2012年9月14日
布图设计登记号：BS.145500020
布图设计申请日：2014年1月21日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8725
布图设计名称：ETA1168
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：钰泰科技（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张江高科技园区碧波路500号311-312室
布图设计创作人：王吉良
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人:邓琪
布图设计创作完成日:2013年4月19日
布图设计登记号：BS.145500039
布图设计申请日：2014年1月21日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8726
布图设计名称：ETA1617
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：钰泰科技（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张江高科技园区碧波路500号311-312室
布图设计创作人：邵栎瑾
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人:邓琪
布图设计创作完成日:2013年2月3日
布图设计登记号：BS.145500047
布图设计申请日：2014年2月10日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8727
布图设计名称：智能电表SoC芯片GCT301
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海盖雷芯科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区盛夏路560号901A
布图设计创作人：上海盖雷芯科技有限公司
代理机构：上海晨皓知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人:成丽杰
布图设计创作完成日:2013年9月8日
布图设计登记号：BS.135004063
布图设计申请日：2013年4月27日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8728
布图设计名称：BP2325/BP2326/BP327/BP2329
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：上海晶丰明源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张江高科技园区毕N路299弄10号楼
布图设计创作人：高志勇、于得水、胡黎强
布图设计创作完成日:2013年2月1日
布图设计首次商业利用日:2013年4月15日
布图设计登记号：BS.135004071
布图设计申请日：2013年4月27日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8729
布图设计名称：BP2831/BP2832/BP2833/BP2836
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：上海晶丰明源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张江高科技园区毕N路299弄10号楼
布图设计创作人：高志勇、于得水、胡黎强
布图设计创作完成日:2013年1月21日
布图设计首次商业利用日:2013年4月6日
布图设计登记号：BS.13500408X
布图设计申请日：2013年4月27日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8730
布图设计名称：BP3131/BP3132/BP3133
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：上海晶丰明源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张江高科技园区毕N路299弄10号楼
布图设计创作人：高志勇、于得水、胡黎强
布图设计创作完成日:2013年1月21日
布图设计首次商业利用日:2013年4月6日
布图设计登记号：BS.135014999
布图设计申请日：2013年12月5日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8731
布图设计名称：TM1916
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市天微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山科技园北区紫光信息港A栋10楼
布图设计创作人：深圳市天微电子有限公司
布图设计创作完成日:2013年8月27日
布图设计首次商业利用日:2013年10月27日
布图设计登记号：BS.13501512X
布图设计申请日：2013年12月4日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8732
布图设计名称：结型沟槽横流二极管
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：NMOS
功能：其他
布图设计权利人：江苏东光微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
布图设计创作人：朱旭强
代理机构：南京天华专利代理有限责任公司
代理人:夏平
布图设计创作完成日:2013年11月19日
布图设计登记号：BS.135015146
布图设计申请日：2013年12月4日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8733
布图设计名称：变掺杂功率场效应晶体管
布图设计类别：
结构：MOS
技术：NMOS
功能：其他
布图设计权利人：江苏东光微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
布图设计创作人：朱旭强
代理机构：南京天华专利代理有限责任公司
代理人:夏平
布图设计创作完成日:2013年1月27日
布图设计登记号：BS.135015162
布图设计申请日：2013年12月4日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8734
布图设计名称：高雪崩耐量功率场效应晶体管
布图设计类别：
结构：MOS
技术：NMOS
功能：其他
布图设计权利人：江苏东光微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
布图设计创作人：朱旭强
代理机构：南京天华专利代理有限责任公司
代理人:夏平
布图设计创作完成日:2013年2月25日
布图设计登记号：BS.145500004
布图设计申请日：2014年1月6日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8735
布图设计名称：IMAPx9芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：微型计算机
布图设计权利人：上海盈方微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区碧波路572弄115号11幢
布图设计创作人：林锦麟、李兴仁、金荣伟、刘春晖、石亚飞、徐华兵、王磊、高振华、谢门旺、贾旭、计慧杰、宁本德、赵琦、杨青刚
代理机构：上海硕力知识产权代理事务所
代理人:郭桂峰
布图设计创作完成日:2013年11月28日
布图设计首次商业利用日:2013年12月2日
布图设计登记号：BS.135015111
布图设计申请日：2013年12月4日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8736
布图设计名称：MOS型横流二极管
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：NMOS
功能：其他
布图设计权利人：江苏东光微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
布图设计创作人：朱旭强
代理机构：南京天华专利代理有限责任公司
代理人:夏平
布图设计创作完成日:2013年11月19日
布图设计登记号：BS.135015138
布图设计申请日：2013年12月4日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8737
布图设计名称：600V注入增强型绝缘栅双极型晶体管
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：NMOS
功能：其他
布图设计权利人：江苏东光微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
布图设计创作人：朱旭强
代理机构：南京天华专利代理有限责任公司
代理人:夏平
布图设计创作完成日:2013年6月25日
布图设计登记号：BS.135015154
布图设计申请日：2013年12月4日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8738
布图设计名称：低电容功率场效应晶体管
布图设计类别：
结构：MOS
技术：NMOS
功能：其他
布图设计权利人：江苏东光微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
布图设计创作人：朱旭强
代理机构：南京天华专利代理有限责任公司
代理人:夏平
布图设计创作完成日:2013年3月19日
布图设计登记号：BS.135015197
布图设计申请日：2013年12月6日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8739
布图设计名称：P1203
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：无锡迈尔斯通集成电路有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市无锡新区新华中路5号创新创意产业园B栋106室
布图设计创作人：刘宇
代理机构：无锡华源专利事务所（普通合伙）
代理人:聂汉钦
布图设计创作完成日:2013年9月1日
布图设计首次商业利用日:2013年11月1日
布图设计登记号：BS.135015677
布图设计申请日：2013年12月18日
公告日期：2014年4月4日
公告号：8740
布图设计名称：PR2111
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：珠海天威技术开发有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省珠海市南屏镇坪岚路2号南屏企业集团大厦五楼
布图设计创作人：珠海天威技术开发有限公司
代理机构：珠海智专专利商标代理有限公司
代理人:段淑华
布图设计创作完成日:2013年7月20日
布图设计首次商业利用日:2013年12月2日