布图设计登记号：BS.145009335
布图设计申请日：2014年9月18日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10047
布图设计名称：CCH477
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：成都芯进电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市金牛高科技产业园兴盛西路2号青年（大学生）创业园3楼306室
布图设计创作人：曾珂
代理机构：成都行之专利代理事务所（普通合伙）
代理人:王记明
布图设计创作完成日:2013年10月18日
布图设计首次商业利用日:2014年4月16日
布图设计登记号：BS.145502201
布图设计申请日：2014年11月12日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10048
布图设计名称：天通导航基带处理芯片HC610
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：上海华力创通半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市青浦区沪青平公路1362号1幢1层C区133室
布图设计创作人：上海华力创通半导体有限公司
代理机构：上海晨皓知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人:成丽杰
布图设计创作完成日:2014年6月30日
布图设计登记号：BS.145502228
布图设计申请日：2014年11月14日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10049
布图设计名称：KTC20080
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：昆腾微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区玉泉山路23号4号楼
布图设计创作人：齐燕、苏鹏、白蓉蓉、王晓轩、谭洪贺
布图设计创作完成日:2014年7月18日
布图设计登记号：BS.145007723
布图设计申请日：2014年8月20日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10050
布图设计名称：WSI1002移动电源管理芯片
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：福建睿矽微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区20号楼307室
布图设计创作人：周媛媛、柯志斌、黄文灿、黄云洪、卓毅、林明星、林峰、叶松
代理机构：福州市众韬专利代理事务所(普通合伙)
代理人:陈智雄、黄秀婷
布图设计创作完成日:2013年8月30日
布图设计登记号：BS.145007731
布图设计申请日：2014年8月20日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10051
布图设计名称：R10射频标签读卡芯片
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：福建睿矽微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区20号楼307室
布图设计创作人：黄云洪、柯志斌、周媛媛、黄文灿、林峰、叶松、熊卫明
代理机构：福州市众韬专利代理事务所(普通合伙)
代理人:陈智雄、黄秀婷
布图设计创作完成日:2013年8月15日
布图设计登记号：BS.145008193
布图设计申请日：2014年9月1日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10052
布图设计名称：1Gb high bandwith DRAM(45nm)
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：存储
布图设计权利人：西安华芯半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼
布图设计创作人：西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日:2013年10月18日
布图设计首次商业利用日:2014年4月15日
布图设计登记号：BS.145008207
布图设计申请日：2014年9月1日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10053
布图设计名称：1Gb Combo DDRI DRAM(45nm)
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：存储
布图设计权利人：西安华芯半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人：西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日:2013年9月14日
布图设计首次商业利用日:2014年8月4日
布图设计登记号：BS.145008215
布图设计申请日：2014年9月1日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10054
布图设计名称：1Gb Combo DDRII DRAM(45nm)
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：存储
布图设计权利人：西安华芯半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人：西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日:2013年7月25日
布图设计首次商业利用日:2014年6月26日
布图设计登记号：BS.145008223
布图设计申请日：2014年9月1日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10055
布图设计名称：1Gb Combo DDRⅢ DRAM(45nm)
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：存储
布图设计权利人：西安华芯半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人：西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日:2013年7月20日
布图设计首次商业利用日:2014年6月15日
布图设计登记号：BS.145008231
布图设计申请日：2014年9月1日
公告日期：2015年1月21日
公告号：10056
布图设计名称：1Gb Combo LPDDR DRAM(45nm)
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：存储
布图设计权利人：西安华芯半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人：西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日:2013年8月10日
布图设计首次商业利用日:2014年8月15日