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集成电路布图设计专有权公告(2016年12月7日)

布图设计登记号:BS.165004851
布图设计申请日:2016年6月7日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13152
布图设计名称:YH521B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:南京异或科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号
布图设计创作人:南京异或科技有限公司
布图设计创作完成日:2016年2月25日
布图设计首次商业利用日:2016年5月31日


布图设计登记号:BS.165004878
布图设计申请日:2016年6月7日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13153
布图设计名称:QH525B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑_其他
布图设计权利人:江苏沁恒股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号
布图设计创作人:江苏沁恒股份有限公司
布图设计创作完成日:2015年8月14日
布图设计首次商业利用日:2015年12月10日


布图设计登记号:BS.165514817
布图设计申请日:2016年7月25日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13154
布图设计名称:低耗无线传感器网络通讯芯片LKG0050
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:杭州朗迅科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省杭州市滨江区六和路368号海创基地南楼5F
布图设计创作人:杭州朗迅科技有限公司
布图设计创作完成日:2016年6月25日


布图设计登记号:BS.165006021
布图设计申请日:2016年7月18日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13155
布图设计名称:一种 25V 高压工艺多单元八边形 LDNMOS 静电防护器件
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:湖南静芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖南省长沙市经济开发区漓湘路98号和祥科技园1101106栋218号
布图设计创作人:汪洋、郝山万、董鹏、金湘亮
布图设计创作完成日:2015年10月30日


布图设计登记号:BS.16500603X
布图设计申请日:2016年7月18日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13156
布图设计名称:一种由多叉指 NMOS 和二极管阵列构成的单向低电容 TVS 器件
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:湖南静芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖南省长沙市经济开发区漓湘路98号和祥科技园1101106栋218号
布图设计创作人:汪洋、郑亦非、董鹏、金湘亮
布图设计创作完成日:2015年10月30日


布图设计登记号:BS.165006048
布图设计申请日:2016年7月18日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13157
布图设计名称:一种 N+/ZP 齐纳二极管构成的双向静电防护器件
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:湖南静芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖南省长沙市经济开发区漓湘路98号和祥科技园1101106栋218号
布图设计创作人:汪洋、关健、董鹏、金湘亮
布图设计创作完成日:2015年10月30日


布图设计登记号:BS.165006056
布图设计申请日:2016年7月18日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13158
布图设计名称:一种用于芯片高速信号引脚的多路可控制硅 TVS 器件
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:湖南静芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖南省长沙市经济开发区漓湘路98号和祥科技园1101106栋218号
布图设计创作人:周子杰、汪洋、金湘亮、董鹏
布图设计创作完成日:2015年10月30日


布图设计登记号:BS.165512431
布图设计申请日:2016年5月9日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13159
布图设计名称:128×128双色量子阱红外焦平面探测器芯片的布图设计
布图设计类别:
    结构:Optical-IC
    技术:DTL-其他
    功能:其他
布图设计权利人:中国科学院半导体研究所
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区清华东路甲35号
布图设计创作人:苏艳梅、种明
代理机构:中科专利商标代理有限责任公司
代理人:曹玲柱
布图设计创作完成日:2016年3月16日


布图设计登记号:BS.165515341
布图设计申请日:2016年8月8日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13160
布图设计名称:GMX0001
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州格美芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州新区滨河路205号金龙大厦7楼
布图设计权利人:河南芯睿电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:河南省新乡市牧野区学院路3号
布图设计创作人:江石根、杜志民、张朔、郭立洲
布图设计创作完成日:2016年2月1日


布图设计登记号:BS.165005742
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13161
布图设计名称:8Mbit 6 管存储单元 SRAM 版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道终端1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、刘浩、方泽姣
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2015年9月10日


布图设计登记号:BS.165005750
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13162
布图设计名称:40nm 标准单元库测试芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、刘浩、方泽姣
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2015年7月20日


布图设计登记号:BS.165005769
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13163
布图设计名称:两百万像素全局曝光高速图像传感器芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道终端1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、刘浩、董林妹
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2015年3月10日


布图设计登记号:BS.165005777
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13164
布图设计名称:四百万像素高速图像传感器芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、刘浩、蒋宇
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2015年12月15日


布图设计登记号:BS.165005785
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13165
布图设计名称:五百万像素高感光度监控图像传感器芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道终端1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、刘浩、蒋宇
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2014年10月20日


布图设计登记号:BS.165005793
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13166
布图设计名称:五百万像素图像传感器芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、刘浩、董林妹
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2015年10月27日


布图设计登记号:BS.165005807
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13167
布图设计名称:LVDS FIFO 测试芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道终端1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、杨海玲、姚真平
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2016年1月19日


布图设计登记号:BS.165005815
布图设计申请日:2016年6月30日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13168
布图设计名称:二维手势控制芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22、23号
布图设计创作人:张桂迪、张远、史汉臣
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:吴世华
布图设计创作完成日:2016年1月10日


布图设计登记号:BS.165514965
布图设计申请日:2016年8月2日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13169
布图设计名称:同步升降压充放电控制器
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海南芯半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区上海市浦东新区郭守敬路498弄19号楼408
布图设计创作人:郭俊杰
布图设计创作完成日:2016年4月1日
布图设计首次商业利用日:2016年8月15日


布图设计登记号:BS.165006064
布图设计申请日:2016年7月19日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13170
布图设计名称:Ka 频段宽带混频器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市长宁区长宁路865号
布图设计创作人:王伟、李凌云、孙鹏飞、孙晓玮
代理机构:上海泰能知识产权代理事务所
代理人:黄志达
布图设计创作完成日:2015年11月1日


布图设计登记号:BS.165515368
布图设计申请日:2016年8月10日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13171
布图设计名称:ZC7530 OFDM电力载波芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑-存储
布图设计权利人:北京中宸泓昌科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区北京市海淀区中关村南大街甲12号15层
布图设计权利人:李桂林
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区北京市海淀区中关村南大街甲12号15层
布图设计创作人:李桂林
代理机构:北京市商泰律师事务所
代理人:毛燕生
布图设计创作完成日:2016年5月16日


布图设计登记号:BS.165513659
布图设计申请日:2016年7月7日
公告日期:2016年12月7日
公告号:13172
布图设计名称:MOSFET SY1601
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:天津三源兴泰微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:天津市西青区经济技术开发区赛达新兴产业园F1座510室
布图设计创作人:赵巍
代理机构:天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人:李莎
布图设计创作完成日:2016年1月5日