布图设计登记号：BS.175004056
布图设计申请日：2017年6月6日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15327
布图设计名称：HT4832
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：嘉兴禾润电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号（嘉兴科技城）JRC大楼A座三层
布图设计创作人：沈世龙、潘慧君、杨小波、张伟、黄武康
布图设计创作完成日：2014年10月26日
布图设计首次商业利用日：2015年10月15日
布图设计登记号：BS.175004463
布图设计申请日：2017年6月14日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15328
布图设计名称：HMRFA01HGEF95V03
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：北京中电华大电子设计有限责任公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市昌平区北七家镇未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋
布图设计创作人：王晓娟、赵志强、马哲、王小宁、陈永强
布图设计创作完成日：2016年7月31日
布图设计登记号：BS.175527660
布图设计申请日：2017年6月2日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15329
布图设计名称：D510-LED电源驱动主控芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市深圳市南山区琼宇路特发信息科技大厦1701
布图设计创作人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2016年8月28日
布图设计首次商业利用日：2017年4月15日
布图设计登记号：BS.175527695
布图设计申请日：2017年6月2日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15330
布图设计名称：D800-LED电源驱动主控芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区琼宇路特发信息科技大厦1701
布图设计创作人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2015年6月1日
布图设计首次商业利用日：2016年1月1日
布图设计登记号：BS.175527709
布图设计申请日：2017年6月2日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15331
布图设计名称：D810-LED电源驱动主控芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市深圳市南山区琼宇路特发信息科技大厦1701
布图设计创作人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2016年5月18日
布图设计首次商业利用日：2016年12月1日
布图设计登记号：BS.175527717
布图设计申请日：2017年6月2日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15332
布图设计名称：D820-LED电源驱动主控芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区琼宇路特发信息科技大厦1701
布图设计创作人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2016年4月18日
布图设计首次商业利用日：2016年7月1日
布图设计登记号：BS.175527725
布图设计申请日：2017年6月2日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15333
布图设计名称：D830-LED电源驱动主控芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市深圳市南山区琼宇路特发信息科技大厦1701
布图设计创作人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2016年11月4日
布图设计首次商业利用日：2017年4月1日
布图设计登记号：BS.175527733
布图设计申请日：2017年6月2日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15334
布图设计名称：D840-LED电源驱动主控芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区琼宇路特发信息科技大厦1701
布图设计创作人：深圳市芯飞凌半导体有限公司
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2016年9月28日
布图设计首次商业利用日：2016年12月25日
布图设计登记号：BS.175528578
布图设计申请日：2017年6月28日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15335
布图设计名称：MARS1集成电路布图
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS-NMOS-PMOS-其他
功能：逻辑-存储
布图设计权利人：南京扬贺扬微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市浦口区雨合路20号芯浦科创中心901-902室 905-906室
布图设计创作人：范曾轶、廖炳隆、后嘉伟
代理机构：江苏圣典律师事务所
代理人：贺翔
布图设计创作完成日：2017年5月31日
布图设计登记号：BS.175528926
布图设计申请日：2017年7月6日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15336
布图设计名称：CT1165_Z1
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：福建兴东电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：福建省厦门市厦门火炬高新区翔安产业园同龙二路589号
布图设计创作人：福建兴东电子科技有限公司
代理机构：南京苏高专利商标事务所（普通合伙）
代理人：吕朦
布图设计创作完成日：2017年7月5日
布图设计登记号：BS.175528934
布图设计申请日：2017年7月6日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15337
布图设计名称：CT1165_Z2
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：福建兴东电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：福建省厦门市厦门火炬高新区翔安产业园同龙二路589号
布图设计创作人：福建兴东电子科技有限公司
代理机构：南京苏高专利商标事务所（普通合伙）
代理人：吕朦
布图设计创作完成日：2017年7月5日
布图设计登记号：BS.175529434
布图设计申请日：2017年7月16日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15338
布图设计名称：Ti640 12μm MEMS传感器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：无锡英菲感知技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号A幢502
布图设计创作人：杨鑫、王鹏
代理机构：烟台双联专利事务所（普通合伙）
代理人：张辉
布图设计创作完成日：2017年6月20日
布图设计登记号：BS.175527156
布图设计申请日：2017年5月22日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15339
布图设计名称：MSC1801版集成电路布图
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：微型计算机-其他
布图设计权利人：武汉微智芯科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖北省武汉市东湖开发区光谷大道35号银久科技产业园一期6墥5层1号
布图设计创作人：黄晟、候助荣
代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：张强
布图设计创作完成日：2016年1月20日
布图设计登记号：BS.175527180
布图设计申请日：2017年5月22日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15340
布图设计名称：MSC1802版集成电路布图
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：武汉微智芯科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖北省武汉市东湖开发区光谷大道35号银久科技产业园一期6墥5层1号
布图设计创作人：黄晟、候助荣
代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：张强
布图设计创作完成日：2016年7月15日
布图设计登记号：BS.175527423
布图设计申请日：2017年5月26日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15341
布图设计名称：高画质数字视频显示处理芯片“HPQ200”
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：西安交通大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市咸宁路28号
布图设计创作人：孙宏滨、汪航、张旭翀、陈秋伯、陶维乾、陈世强、罗文、郑南宁
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：陆万寿
布图设计创作完成日：2016年8月10日
布图设计登记号：BS.175529280
布图设计申请日：2017年7月13日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15342
布图设计名称：一种可并联、可多通道并联、可深度调光的LED驱动电路------QW2032
布图设计类别：
结构：MOS-其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：上海芯荃微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市徐汇区虹梅路2008号3幢（虹梅大楼）406室
布图设计创作人：杜红越、王司亮、任雪刚
布图设计创作完成日：2016年11月4日
布图设计首次商业利用日：2017年1月16日
布图设计登记号：BS.175005257
布图设计申请日：2017年6月30日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15343
布图设计名称：YP3800A3射频功率放大器
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：苏州英诺迅科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省苏州市工业园区林泉街399号
布图设计创作人：高怀、王锋、郝瑞荣、田婷
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：范晴
布图设计创作完成日：2017年6月8日
布图设计登记号：BS.175005273
布图设计申请日：2017年6月30日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15344
布图设计名称：YP602528射频功率放大器
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：苏州英诺迅科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省苏州市工业园区林泉街399号
布图设计创作人：高怀、王锋、郝瑞荣、田婷
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：范晴
布图设计创作完成日：2017年6月8日
布图设计登记号：BS.17500529X
布图设计申请日：2017年6月30日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15345
布图设计名称：YP242434射频功率放大器
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：苏州英诺迅科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省苏州市工业园区林泉街399号
布图设计创作人：高怀、王锋、郝瑞荣、田婷
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：范晴
布图设计创作完成日：2017年6月8日
布图设计登记号：BS.175005338
布图设计申请日：2017年6月30日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15346
布图设计名称：YP3035W射频功率放大器
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：苏州英诺迅科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省苏州市工业园区林泉街399号
布图设计创作人：郝瑞荣、王锋、田婷、高怀
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：范晴
布图设计创作完成日：2017年6月8日
布图设计登记号：BS.175005354
布图设计申请日：2017年6月30日
公告日期：2018年1月12日
公告号：15347
布图设计名称：YG602020射频增益放大器
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：苏州英诺迅科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省苏州市工业园区林泉街399号
布图设计创作人：王锋、郝瑞荣、田婷、高怀
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：范晴
布图设计创作完成日：2017年6月8日