布图设计登记号：BS.175006334
布图设计申请日：2017年7月18日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15463
布图设计名称：GK3165
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：长沙泰科阳微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路1号，3号德普五和企业园一期6栋301,302
布图设计创作人：长沙泰科阳微电子有限公司
布图设计创作完成日：2017年4月1日
布图设计登记号：BS.175006342
布图设计申请日：2017年7月18日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15464
布图设计名称：GK7150
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：长沙泰科阳微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路1号、3号德普五和企业园一期6栋301、302
布图设计创作人：长沙泰科阳微电子有限公司
布图设计创作完成日：2015年12月18日
布图设计登记号：BS.17552954X
布图设计申请日：2017年7月20日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15465
布图设计名称：Ka波段幅小型矢量调制器芯片布图
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：线性-其他
布图设计权利人：无锡国芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市无锡市滨湖区滴翠路100号9幢5层
布图设计创作人：钱敏媛
代理机构：无锡华源专利商标事务所（普通合伙）
代理人：张悦
布图设计创作完成日：2016年9月10日
布图设计登记号：BS.175529558
布图设计申请日：2017年7月20日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15466
布图设计名称：Ku波段六位数控移相器芯片布图
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：线性-其他
布图设计权利人：无锡国芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市滨湖区滴翠路100号9幢5层
布图设计创作人：秦战明
代理机构：无锡华源专利商标事务所（普通合伙）
代理人：张悦
布图设计创作完成日：2017年3月10日
布图设计登记号：BS.175529566
布图设计申请日：2017年7月20日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15467
布图设计名称：X波段低噪声放大器芯片布图
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：线性-其他
布图设计权利人：无锡国芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市无锡市滨湖区滴翠路100号9幢5层
布图设计创作人：薛国锋
代理机构：无锡华源专利商标事务所（普通合伙）
代理人：张悦
布图设计创作完成日：2015年7月10日
布图设计登记号：BS.175529574
布图设计申请日：2017年7月20日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15468
布图设计名称：X波段幅相控制芯片布图
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：线性-其他
布图设计权利人：无锡国芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市滨湖区滴翠路100号9幢5层
布图设计创作人：钱敏媛、魏宪举
代理机构：无锡华源专利商标事务所（普通合伙）
代理人：张悦
布图设计创作完成日：2016年9月10日
布图设计登记号：BS.175529582
布图设计申请日：2017年7月20日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15469
布图设计名称：X波段低相移六位数控衰减器芯片布图
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：逻辑-线性-其他
布图设计权利人：无锡国芯微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市无锡市滨湖区滴翠路100号9幢5层
布图设计创作人：耿树佳
代理机构：无锡华源专利商标事务所（普通合伙）
代理人：张悦
布图设计创作完成日：2017年6月2日
布图设计登记号：BS.175527903
布图设计申请日：2017年6月9日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15470
布图设计名称：无线充电控制芯片（CP2031）
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：南京酷珀微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市高新开发区星火路9号软件大厦B座504-505室
布图设计创作人：张睿卿、李明
布图设计创作完成日：2016年8月1日
布图设计首次商业利用日：2016年12月12日
布图设计登记号：BS.175528853
布图设计申请日：2017年7月6日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15471
布图设计名称：光学距离传感器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：艾普柯微电子（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张江高科技园区金科路2966号1幢307室
布图设计创作人：谢晓敏
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：林祥
布图设计创作完成日：2017年2月1日
布图设计登记号：BS.175528861
布图设计申请日：2017年7月6日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15472
布图设计名称：光学心率传感器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：NMOS
功能：其他
布图设计权利人：艾普柯微电子（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张江高科技园区金科路2966号1幢307室
布图设计创作人：谢晓敏
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：林祥
布图设计创作完成日：2017年5月1日
布图设计登记号：BS.175530122
布图设计申请日：2017年8月1日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15473
布图设计名称：2KB IIC EEPROM存储器芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：存储
布图设计权利人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区华强北路华强广场2栋A-15G
布图设计创作人：刘吉平、朱金桥、唐伟、张怀东
布图设计创作完成日：2017年7月17日
布图设计登记号：BS.175005915
布图设计申请日：2017年7月17日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15474
布图设计名称：USB3.1 Gen-1 Re-driver
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：龙迅半导体（合肥）股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市经开区芙蓉路268号创新创业园A座四层
布图设计创作人：李广仁、李丽、张美玲、郭文武、谢长倩
布图设计创作完成日：2017年6月28日
布图设计登记号：BS.175005923
布图设计申请日：2017年7月17日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15475
布图设计名称：Single-port Bi-directional USB3.1 Gen-1 Re-drver
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：龙迅半导体（合肥）股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市经开区芙蓉路268号创新创业园A座四层
布图设计创作人：李广仁、李丽、张美玲、郭文武、谢长倩
布图设计创作完成日：2017年6月28日
布图设计登记号：BS.175005931
布图设计申请日：2017年7月17日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15476
布图设计名称：USB Type-C/DP1.2 Receiver
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：龙迅半导体（合肥）股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市经开区芙蓉路268号创新创业园A座四层
布图设计创作人：李广仁、李丽、张美玲、郭文武、谢长倩
布图设计创作完成日：2016年10月21日
布图设计登记号：BS.17500627X
布图设计申请日：2017年7月14日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15477
布图设计名称：宽带电力线载波通讯芯片B
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市朝阳区民族园路2号3幢4层4042室
布图设计创作人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计创作完成日：2017年7月12日
布图设计登记号：BS.175006288
布图设计申请日：2017年7月14日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15478
布图设计名称：宽带电力线载波通讯芯片A
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市朝阳区民族园路2号3幢4层4042室
布图设计创作人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计创作完成日：2017年7月12日
布图设计登记号：BS.175006296
布图设计申请日：2017年7月14日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15479
布图设计名称：高灵敏度宽带模拟前端芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市朝阳区民族园路2号3幢4层4042室
布图设计创作人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计创作完成日：2017年7月12日
布图设计登记号：BS.17500630X
布图设计申请日：2017年7月14日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15480
布图设计名称：高精度高速模数转换器芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市朝阳区民族园路2号3幢4层4042室
布图设计创作人：北京思凌科半导体技术有限公司
布图设计创作完成日：2017年7月12日
布图设计登记号：BS.175006547
布图设计申请日：2017年7月20日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15481
布图设计名称：HRT-Hi3911V200布图设计
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：中电华瑞技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区永丰路5号院3号楼3层
布图设计创作人：沙舟
布图设计创作完成日：2017年6月9日
布图设计登记号：BS.175006601
布图设计申请日：2017年7月26日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15482
布图设计名称：TC6012
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市微芯智能科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市宝安区西乡街道银田路4号华丰宝安智谷科技创新园E座3楼310室
布图设计创作人：罗慧丽
布图设计创作完成日：2016年5月18日
布图设计首次商业利用日：2016年12月26日
布图设计登记号：BS.175526648
布图设计申请日：2017年5月8日
公告日期：2018年1月31日
公告号：15483
布图设计名称：TMI3155LAYER
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：西安拓尔微电子有限责任公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市高新区科技五路橡树星座C座1003
布图设计创作人：方建平
代理机构：西安利泽明知识产权代理有限公司
代理人：贾晓玲
布图设计创作完成日：2016年12月1日
布图设计首次商业利用日：2017年2月15日