布图设计登记号：BS.185550509
布图设计申请日：2018年3月19日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17702
布图设计名称：AES加密芯片电路
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：福州大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：福建省福州市闽侯县大学新区学园路2号
布图设计创作人：王仁平、刘东明、李凡阳
代理机构：福州元创专利商标代理有限公司
代理人：蔡学俊
布图设计创作完成日：2017年4月9日
布图设计登记号：BS.185550517
布图设计申请日：2018年3月19日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17703
布图设计名称：SYSU_WPT1602
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：中山大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市海珠区新港西路135号
布图设计创作人：郭建平、胡东洋、苏奎任
代理机构：中山市铭洋专利商标事务所（普通合伙）
代理人：邹常友
布图设计创作完成日：2018年2月5日
布图设计登记号：BS.185001831
布图设计申请日：2018年3月12日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17704
布图设计名称：宽输入电压极低静态电流LDO芯片
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：苏州赛芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园3期11B0
布图设计创作人：谭健、崔国庆
布图设计创作完成日：2017年6月8日
布图设计登记号：BS.185001912
布图设计申请日：2018年3月12日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17705
布图设计名称：AX10
布图设计类别：
结构：MOS
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：南京派爱电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市栖霞区甘家边东108号（金港科创中心）2号楼406室
布图设计创作人：徐杨
布图设计创作完成日：2017年10月10日
布图设计首次商业利用日：2018年1月20日
布图设计登记号：BS.185001920
布图设计申请日：2018年3月12日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17706
布图设计名称：VT4224
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：南京派爱电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市栖霞区甘家边东108号（金港科创中心）2号楼406室
布图设计创作人：徐杨
布图设计创作完成日：2017年9月18日
布图设计首次商业利用日：2018年2月2日
布图设计登记号：BS.185001939
布图设计申请日：2018年3月12日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17707
布图设计名称：AX63
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：南京派爱电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市栖霞区甘家边东108号（金港科创中心）2号楼406室
布图设计创作人：徐杨
布图设计创作完成日：2017年9月30日
布图设计首次商业利用日：2018年1月25日
布图设计登记号：BS.185002684
布图设计申请日：2018年4月3日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17708
布图设计名称：HMC863ALC4
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：高文静
布图设计创作完成日：2017年8月30日
布图设计首次商业利用日：2017年9月7日
布图设计登记号：BS.185002706
布图设计申请日：2018年4月3日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17709
布图设计名称：ADPD2119(PD inADPD188GG modules)
布图设计类别：
结构：Optical-IC
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：高文静
布图设计创作完成日：2017年7月21日
布图设计首次商业利用日：2017年8月25日
布图设计登记号：BS.185002714
布图设计申请日：2018年4月3日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17710
布图设计名称：ADMV1010
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：高文静
布图设计创作完成日：2016年10月21日
布图设计首次商业利用日：2017年1月26日
布图设计登记号：BS.185547214
布图设计申请日：2018年1月29日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17711
布图设计名称：高增益功率放大器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计创作人：陈哲，林甲富，林俊明，刘祖华，章国豪
布图设计创作完成日：2017年8月15日
布图设计登记号：BS.185549810
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17712
布图设计名称：功率放大器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人：陈续威，林甲富，刘祖华，章国豪
布图设计创作完成日：2017年11月25日
布图设计登记号：BS.185549829
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17713
布图设计名称：三级功率放大器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人：陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日：2017年11月25日
布图设计登记号：BS.185549845
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17714
布图设计名称：24GHz上混频器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人：周正轩、李罡、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日：2017年5月18日
布图设计登记号：BS.185549861
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17715
布图设计名称：一种功率放大器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人：陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日：2017年11月25日
布图设计登记号：BS.18554987X
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17716
布图设计名称：GaAs功率放大器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人：陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日：2017年11月25日
布图设计登记号：BS.185549888
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17717
布图设计名称：一种压控振荡器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人：陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日：2017年8月25日
布图设计登记号：BS.185549896
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17718
布图设计名称：高增益功率放大器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人： 陈哲、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日：2017年8月15日
布图设计登记号：BS.18554990X
布图设计申请日：2018年3月8日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17719
布图设计名称：分布式放大器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人：广东工业大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人：刘雁鹏、刘祖华 、章国豪
布图设计创作完成日：2017年8月15日
布图设计登记号：BS.185550541
布图设计申请日：2018年3月20日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17720
布图设计名称：一种三相高压栅驱动集成电路
布图设计类别：
结构：其他
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：无锡安趋电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市新吴区清源路18号A区 503
布图设计创作人：张允武、王玉竹、胡孔生
代理机构：北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人：王斌
布图设计创作完成日：2017年1月8日
布图设计登记号：BS.185550681
布图设计申请日：2018年3月21日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17721
布图设计名称：多路扬声器寿命测试仪电流变频放大电路版图
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：常州英讯电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省常州市新北区汉江路120号
布图设计创作人：殷玉飞
布图设计创作完成日：2017年8月1日
布图设计登记号：BS.185550703
布图设计申请日：2018年3月21日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17722
布图设计名称：英讯多路扬声器可靠性测试仪扫频信号芯片版图
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：常州英讯电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省常州市新北区汉江路120号
布图设计创作人：殷玉飞
布图设计创作完成日：2018年1月5日
布图设计登记号：BS.185551548
布图设计申请日：2018年3月29日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17723
布图设计名称：PA05AA
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS-NMOS-PMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
布图设计创作人：张义、李应天
代理机构：上海精晟知识产权代理有限公司
代理人：冯子玲
布图设计创作完成日：2018年1月31日
布图设计登记号：BS.175539030
布图设计申请日：2017年11月30日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17724
布图设计名称：碳化硅器件
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
布图设计创作人：张瑜洁
代理机构：福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙）
代理人：王美花
布图设计创作完成日：2015年9月28日
布图设计登记号：BS.185001998
布图设计申请日：2018年3月9日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17725
布图设计名称：低功耗半桥驱动芯片BD1800AA
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳市巴丁微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间1号楼208-209
布图设计创作人：赵春波
布图设计创作完成日：2017年12月16日
布图设计登记号：BS.185002390
布图设计申请日：2018年3月23日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17726
布图设计名称：KC301频率自适应时钟芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：康佳集团股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技园科技南十二路28号康佳研发大厦15-24层
布图设计创作人：康佳集团股份有限公司
代理机构：深圳市科吉华烽知识产权事务所（普通合伙）
代理人：姜书新
布图设计创作完成日：2016年7月20日
布图设计登记号：BS.185002722
布图设计申请日：2018年3月30日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17727
布图设计名称：SSD3294
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：晶门科技（中国）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市高新区星火路17号创智大厦B座21楼
布图设计创作人：汤惠芳
代理机构：深圳中一专利商标事务所
代理人：官建红
布图设计创作完成日：2015年12月4日
布图设计登记号：BS.185002749
布图设计申请日：2018年3月30日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17728
布图设计名称：SSD3222
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：晶门科技（中国）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市高新区星火路17号创智大厦B座21楼
布图设计创作人：黄美华
代理机构：深圳中一专利商标事务所
代理人：官建红
布图设计创作完成日：2017年5月24日
布图设计首次商业利用日：2017年12月1日
布图设计登记号：BS.185002765
布图设计申请日：2018年3月30日
公告日期：2018年12月14日
公告号：17729
布图设计名称：SSD3293
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：晶门科技（中国）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市高新区星火路17号创智大厦B座21楼
布图设计创作人：汤惠芳
代理机构：深圳中一专利商标事务所
代理人：官建红
布图设计创作完成日：2016年7月2日