布图设计登记号：BS.17553098X
布图设计申请日：2017年8月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16003
布图设计名称：高速滤波器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区黄山路599号时代数码港1101
布图设计创作人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计创作完成日：2017年6月1日
布图设计登记号：BS.175530998
布图设计申请日：2017年8月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16004
布图设计名称：过压保护器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区黄山路599号时代数码港1101
布图设计创作人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计创作完成日：2017年8月1日
布图设计登记号：BS.175531005
布图设计申请日：2017年8月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16005
布图设计名称：缓冲模拟交叉点开关
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区黄山路599号时代数码港1101
布图设计创作人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计创作完成日：2017年8月1日
布图设计登记号：BS.175531013
布图设计申请日：2017年8月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16006
布图设计名称：时钟发生器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区黄山路599号时代数码港1101
布图设计创作人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计创作完成日：2017年8月1日
布图设计登记号：BS.175531021
布图设计申请日：2017年8月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16007
布图设计名称：自动增益控制
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区黄山路599号时代数码港1101
布图设计创作人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计创作完成日：2017年8月1日
布图设计登记号：BS.175532419
布图设计申请日：2017年9月11日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16008
布图设计名称：低功耗基准电压源
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区黄山路599号时代数码港1101
布图设计创作人：合肥华旭半导体科技有限公司
布图设计创作完成日：2017年3月10日
布图设计登记号：BS.175533008
布图设计申请日：2017年9月20日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16009
布图设计名称：900M国标空口芯片AFE
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：华大半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区自由贸易试验区亮秀路112号A座303-304室
布图设计创作人：赵鹏辉、温立国、沈红伟
代理机构：上海专尚知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：张政权
布图设计创作完成日：2016年8月29日
布图设计登记号：BS.175533024
布图设计申请日：2017年9月20日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16010
布图设计名称：一种低电容低电压浪涌保护元器件
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：上海智晶半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区芳春路400号1幢3层
布图设计创作人：徐芳芳、宣雷、孙志斌
布图设计创作完成日：2017年6月6日
布图设计登记号：BS.175533040
布图设计申请日：2017年9月20日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16011
布图设计名称：一种新型多路浪涌元器件
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：上海智晶半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区芳春路400号1幢3层
布图设计创作人：孙志斌、宣雷、徐芳芳
布图设计创作完成日：2017年6月6日
布图设计登记号：BS.175533059
布图设计申请日：2017年9月20日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16012
布图设计名称：一种平面结构放电管
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：上海智晶半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区芳春路400号1幢3层
布图设计创作人：宣雷、孙志斌、徐芳芳
布图设计创作完成日：2017年6月6日
布图设计登记号：BS.175533105
布图设计申请日：2017年9月22日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16013
布图设计名称：智能节能集控板布图设计
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：上海明撙信息技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市宝山区逸仙路2816号1幢9层A0161室
布图设计创作人：邹韦、葛占涛
布图设计创作完成日：2017年3月7日
布图设计登记号：BS.175008515
布图设计申请日：2017年9月4日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16014
布图设计名称：SMIC3ASE2工艺24C02EEPROM存储器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：存储
布图设计权利人：上海芯火半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区张衡路666号415室
布图设计创作人：朱金桥、孙柏杨
代理机构：上海宏威知识产权代理有限公司
代理人：赵芳梅
布图设计创作完成日：2017年8月18日
布图设计登记号：BS.175008825
布图设计申请日：2017年9月21日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16015
布图设计名称：MT3409
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人：古炯钧
代理机构：上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人：王松
布图设计创作完成日：2017年8月15日
布图设计登记号：BS.175532559
布图设计申请日：2017年9月13日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16016
布图设计名称：DBF_02
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：南京国睿中数电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市建邺区江东中路359号国睿大厦2号楼16层
布图设计创作人：向风
布图设计创作完成日：2017年7月4日
布图设计登记号：BS.175533113
布图设计申请日：2017年9月25日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16017
布图设计名称：ND01_2
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：南京国睿中数电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址： 江苏省南京市建邺区江东中路359号国睿大厦2号楼16层
布图设计创作人：徐光明、王鸿鹏、闻黎
布图设计创作完成日：2017年6月20日
布图设计登记号：BS.175003726
布图设计申请日：2017年5月27日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16018
布图设计名称：CS1706PR J0/CLI1702J0
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS_其他
功能：其他
布图设计权利人：美国思睿逻辑有限公司（Cirrus Logic Inc.)
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国德克萨斯州奥斯汀（800W.6th Street,Austin, Texas, USA)
布图设计创作人：琼▪拉塞古特(Jean Lasseuguette)、科林▪詹金斯(Colin Jenkins)、理查德▪科奈(Richard Corner)
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：孙大为
布图设计创作完成日：2016年8月1日
布图设计首次商业利用日：2017年2月28日
布图设计登记号：BS.175009244
布图设计申请日：2017年9月29日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16019
布图设计名称：AD7284
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：申发振
布图设计创作完成日：2017年2月17日
布图设计首次商业利用日：2017年2月17日
布图设计登记号：BS.175009252
布图设计申请日：2017年9月29日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16020
布图设计名称：ADP5139
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：程晨
布图设计创作完成日：2016年3月21日
布图设计首次商业利用日：2016年6月14日
布图设计登记号：BS.175009287
布图设计申请日：2017年9月29日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16021
布图设计名称：HMC346
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：申发振
布图设计创作完成日：2016年9月15日
布图设计首次商业利用日：2017年1月6日
布图设计登记号：BS.175009295
布图设计申请日：2017年9月29日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16022
布图设计名称：ADuCM4050-BCBZ
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：程晨
布图设计创作完成日：2016年6月6日
布图设计首次商业利用日：2016年9月21日
布图设计登记号：BS.175009309
布图设计申请日：2017年9月29日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16023
布图设计名称：XM357
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：申发振
布图设计创作完成日：2015年12月4日
布图设计首次商业利用日：2016年3月29日
布图设计登记号：BS.175532680
布图设计申请日：2017年9月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16024
布图设计名称：解码选择器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：合肥众扬诺芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F32
布图设计创作人：张磊
布图设计创作完成日：2017年9月1日
布图设计登记号：BS.175532699
布图设计申请日：2017年9月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16025
布图设计名称：低内阻恒压源
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥众扬诺芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F32
布图设计创作人：张磊
布图设计创作完成日：2017年9月1日
布图设计登记号：BS.175532702
布图设计申请日：2017年9月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16026
布图设计名称：一阶数位比较器
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥众扬诺芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F32
布图设计创作人：张磊
布图设计创作完成日：2017年9月1日
布图设计登记号：BS.175532710
布图设计申请日：2017年9月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16027
布图设计名称：电流源阵列
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥众扬诺芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F32
布图设计创作人：张磊
布图设计创作完成日：2017年9月1日
布图设计登记号：BS.175532729
布图设计申请日：2017年9月17日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16028
布图设计名称：高精度流水线ADC
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥众扬诺芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F32
布图设计创作人：张磊
布图设计创作完成日：2017年8月31日
布图设计登记号：BS.175532818
布图设计申请日：2017年9月18日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16029
布图设计名称：高速开关电容
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥众扬诺芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F32
布图设计创作人：张磊
布图设计创作完成日：2017年9月1日
布图设计登记号：BS.175532826
布图设计申请日：2017年9月18日
公告日期：2018年7月4日
公告号：16030
布图设计名称：自校准电压标尺
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：合肥众扬诺芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F32
布图设计创作人：张磊
布图设计创作完成日：2017年9月1日