布图设计登记号：BS.17500966X
布图设计申请日：2017年10月16日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16723
布图设计名称：400万像素global shutter CMOS图像传感器版图
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人：成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22,23号
布图设计创作人：张桂迪、何学红、史汉臣
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）
代理人：吴世华
布图设计创作完成日：2017年3月29日
布图设计登记号：BS.175009678
布图设计申请日：2017年10月16日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16724
布图设计名称：130万像素global shutter CMOS图像传感器版图
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海集成电路研发中心有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区高斯路497号
布图设计权利人：成都微光集电科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22,23号
布图设计创作人：张桂迪、李停、陈西昌
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）
代理人：吴世华
布图设计创作完成日：2017年7月26日
布图设计登记号：BS.175537283
布图设计申请日：2017年11月15日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16725
布图设计名称：电磁信号控制电路
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：微型计算机
布图设计权利人：佛山市壹安技自动化设备有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省佛山市顺德区陈村镇广隆工业区广隆中路1号之一（4楼7室）
布图设计创作人：袁春林
代理机构：北京中建联合知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：周娓娓
布图设计创作完成日：2016年3月16日
布图设计登记号：BS.175538034
布图设计申请日：2017年11月20日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16726
布图设计名称：IL-G02
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：比塔（上海）数据科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市青浦区公园东路1155号科技孵化服务中心5016-218室
布图设计创作人：陈全成、陈文靖
布图设计创作完成日：2017年8月20日
布图设计登记号：BS.175538107
布图设计申请日：2017年11月20日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16727
布图设计名称：IL-T02
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：比塔（上海）数据科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市青浦区公园东路1155号科技孵化服务中心5016-218室
布图设计创作人：陈全成、陈文靖
布图设计创作完成日：2017年8月20日
布图设计登记号：BS.175539669
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16728
布图设计名称：K003
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：田欢、方燕枝
布图设计创作完成日：2017年8月28日
布图设计登记号：BS.175539693
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16729
布图设计名称：D5102
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：刘传军
布图设计创作完成日：2017年8月4日
布图设计登记号：BS.175539707
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16730
布图设计名称：TI6003
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：艾磊、李茂登、陈超、高继
布图设计创作完成日：2017年8月4日
布图设计登记号：BS.175539715
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16731
布图设计名称：D2005
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：刘传军
布图设计创作完成日：2017年8月4日
布图设计登记号：BS.175539723
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16732
布图设计名称：D7001
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：刘传军
布图设计创作完成日：2017年8月4日
布图设计登记号：BS.175539731
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16733
布图设计名称：TI4008
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：李茂登
布图设计创作完成日：2017年10月3日
布图设计登记号：BS.17553974X
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16734
布图设计名称：TI4002
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：李茂登
布图设计创作完成日：2017年11月2日
布图设计登记号：BS.175539758
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16735
布图设计名称：D5004
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：刘传军
布图设计创作完成日：2017年7月3日
布图设计登记号：BS.175539782
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16736
布图设计名称：D1003
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：刘传军
布图设计创作完成日：2017年5月26日
布图设计登记号：BS.175539790
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16737
布图设计名称：D3001
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：深圳市创新微源半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋512室
布图设计创作人：刘传军
布图设计创作完成日：2017年10月9日
布图设计登记号：BS.175539804
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16738
布图设计名称：Ask_top
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：上海芯海集成电路设计有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区金科路2889弄3号长泰广场C座11层
布图设计创作人：师勇勇
代理机构：上海骁象知识产权代理有限公司
代理人：赵俊寅
布图设计创作完成日：2017年9月9日
布图设计登记号：BS.175009554
布图设计申请日：2017年10月17日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16739
布图设计名称：GD32F330XX GD32F350XX
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京兆易创新科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
布图设计创作人：于明、杜兴兴、于彩灯、黄雪晴、段海洁
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：胡彬
布图设计创作完成日：2016年12月6日
布图设计首次商业利用日：2017年4月1日
布图设计登记号：BS.175009562
布图设计申请日：2017年10月17日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16740
布图设计名称：GD32F170XX GD32F190XX
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京兆易创新科技股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
布图设计创作人：于明、黄雪晴、段海洁
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：胡彬
布图设计创作完成日：2015年7月15日
布图设计首次商业利用日：2016年1月1日
布图设计登记号：BS.175012008
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16741
布图设计名称：一种光电二极管阵列2.5_S PD
布图设计类别：
结构：Optical-IC
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：同源微（北京）半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市东城区和平里东街11号8号楼1-B1号
布图设计创作人：王勇
布图设计创作完成日：2016年11月28日
布图设计首次商业利用日：2017年9月22日
布图设计登记号：BS.175012016
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16742
布图设计名称：一种电流放大器阵列
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：同源微（北京）半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市东城区和平里东街11号8号楼1-B1号
布图设计创作人：王勇
布图设计创作完成日：2017年2月27日
布图设计首次商业利用日：2017年8月25日
布图设计登记号：BS.175012156
布图设计申请日：2017年12月11日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16743
布图设计名称：应用于无线通信射频前端的高通滤波器
布图设计类别：
结构：其他
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：安徽云塔电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋
布图设计创作人：王晓东、左成杰、戴立杰、程伟、汪鹏
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：胡彬
布图设计创作完成日：2017年11月20日
布图设计登记号：BS.175536317
布图设计申请日：2017年11月2日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16744
布图设计名称：数模混合C1406101
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：北京芯愿景软件技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区高里掌路1号院2号楼1层102
布图设计创作人：北京芯愿景软件技术有限公司
布图设计创作完成日：2017年9月10日
布图设计登记号：BS.175539251
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16745
布图设计名称：HP4059
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：瀚昕微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
布图设计创作人：唐沛寅、莫小英、王虎刚、魏汝新
布图设计创作完成日：2017年12月4日
布图设计首次商业利用日：2017年12月4日
布图设计登记号：BS.17553926X
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16746
布图设计名称：HP6513
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：瀚昕微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
布图设计创作人：唐沛寅、魏汝新、曹侠、王强
布图设计创作完成日：2017年12月4日
布图设计首次商业利用日：2017年12月4日
布图设计登记号：BS.175539278
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16747
布图设计名称：HP6215
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：瀚昕微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
布图设计创作人：唐沛寅、魏汝新、戴维、丁丽华
布图设计创作完成日：2017年12月4日
布图设计首次商业利用日：2017年12月4日
布图设计登记号：BS.175539286
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16748
布图设计名称：HP6003
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：瀚昕微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
布图设计创作人：莫小英、王虎刚、曹侠、王强
布图设计创作完成日：2017年12月4日
布图设计首次商业利用日：2017年12月4日
布图设计登记号：BS.175539383
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16749
布图设计名称：HP9115
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：瀚昕微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
布图设计创作人：莫小英、唐沛寅、王虎刚、魏汝新
布图设计创作完成日：2017年12月4日
布图设计首次商业利用日：2017年12月4日
布图设计登记号：BS.175539405
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16750
布图设计名称：HWD570
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：成都华微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
布图设计创作人：李宜桓、李庆飒、耿林、李亚杰、余梅、王蚕英、刘云搏、阙小茜、何相龙、孙海、冯萍、丛伟林、李建秋、李亚霈、侯柯君、夏明刚
代理机构：成都惠迪专利事务所（普通合伙）
代理人：刘姚
布图设计创作完成日：2016年6月10日
布图设计登记号：BS.175539421
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16751
布图设计名称：HWD664
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：成都华微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
布图设计创作人：张克林、李大刚、林立爽、习小芃、黄俊杰、曾泫鸿
代理机构：成都惠迪专利事务所（普通合伙）
代理人：刘姚
布图设计创作完成日：2016年11月30日
布图设计登记号：BS.17553957X
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16752
布图设计名称：HWD8412_T
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：成都华微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
布图设计创作人：张克林、李大刚、林立爽、刁小芃、曾泫鸿
代理机构：成都惠迪专利事务所（普通合伙）
代理人：刘勋
布图设计创作完成日：2016年11月30日
布图设计登记号：BS.175539588
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16753
布图设计名称：HP761
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：瀚昕微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
布图设计创作人：莫小英、王虎刚、贾亚菲、罗菊亚
布图设计创作完成日：2017年12月5日
布图设计首次商业利用日：2017年12月5日
布图设计登记号：BS.175539596
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16754
布图设计名称：HWD70302
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：成都华微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
布图设计创作人：张克林、冯浪、包帆
代理机构：成都惠迪专利事务所（普通合伙）
代理人：刘勋
布图设计创作完成日：2016年11月30日
布图设计登记号：BS.17553960X
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16755
布图设计名称：HWD70345
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：成都华微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
布图设计创作人：张克林、冯浪、包帆
代理机构：成都惠迪专利事务所（普通合伙）
代理人：刘勋
布图设计创作完成日：2016年11月30日
布图设计登记号：BS.175539626
布图设计申请日：2017年12月5日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16756
布图设计名称：HWD70351
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：成都华微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
布图设计创作人：冯浪、张克林、包帆
代理机构：成都惠迪专利事务所（普通合伙）
代理人：刘勋
布图设计创作完成日：2016年11月30日
布图设计登记号：BS.175008833
布图设计申请日：2017年9月21日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16757
布图设计名称：AT8812
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：杭州中科微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：浙江省杭州市滨江区江南大道3850号创新大厦10楼
布图设计创作人：万巧玲、吴佳宇
代理机构：上海旭诚知识产权代理有限公司
代理人：郑立
布图设计创作完成日：2016年6月30日
布图设计首次商业利用日：2016年2月2日
布图设计登记号：BS.175010404
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16758
布图设计名称：AD_MOTOR_RATE
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：TTL
功能：其他
布图设计权利人：北方电子研究院安徽有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址： 安徽省蚌埠市汤和路2016号
布图设计创作人：胡传菊、陈超、姚芳、胡宇航、吕江萍、刘成玉、赵杰、王丽丽、刘霞、杨林敏
代理机构：南京纵横知识产权代理有限公司
代理人：耿英
布图设计创作完成日：2017年8月30日
布图设计登记号：BS.175010412
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16759
布图设计名称：BY1027
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：北方电子研究院安徽有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省蚌埠市汤河路2016号
布图设计创作人：吕江萍、赵杰
代理机构：南京纵横知识产权代理有限公司
代理人：耿英
布图设计创作完成日：2017年8月30日
布图设计登记号：BS.175010420
布图设计申请日：2017年12月14日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16760
布图设计名称：BY1028
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：北方电子研究院安徽有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省蚌埠市汤和路2016号
布图设计创作人：吕江萍、刘成玉
代理机构：南京纵横知识产权代理有限公司
代理人：耿英
布图设计创作完成日：2015年7月30日
布图设计登记号：BS.175011214
布图设计申请日：2017年11月3日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16761
布图设计名称：高压IO的单级ESD保护电路版图
布图设计类别：
结构：Optical-IC
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区南海大道3688号
布图设计创作人：王育斌、徐渊、谢刚、潘安、刘诗琪
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2017年10月27日
布图设计登记号：BS.175011222
布图设计申请日：2017年11月3日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16762
布图设计名称：用于高工作电压下TOF深度传感器的两级ESD静电保护电路版图
布图设计类别：
结构：Optical-IC
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：深圳大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区南海大道3688号
布图设计创作人：潘安、徐渊、谢刚、王育斌、刘诗琪
代理机构：深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙）
代理人：林俭良
布图设计创作完成日：2017年10月5日
布图设计登记号：BS.175012083
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16763
布图设计名称：ADUM12XIC_121A
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：周阳君
布图设计创作完成日：2015年9月16日
布图设计首次商业利用日：2016年1月7日
布图设计登记号：BS.175012105
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16764
布图设计名称：ADUM12XTC_121B
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：程晨
布图设计创作完成日：2015年9月16日
布图设计首次商业利用日：2016年1月7日
布图设计登记号：BS.175012113
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16765
布图设计名称：ADUM12XIC_121B
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：周阳君
布图设计创作完成日：2015年9月16日
布图设计首次商业利用日：2016年1月7日
布图设计登记号：BS.175012121
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16766
布图设计名称：ADUM12XIC_120
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：申发振
布图设计创作完成日：2015年9月16日
布图设计首次商业利用日：2016年1月7日
布图设计登记号：BS.175012148
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16767
布图设计名称：AD9545
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：美国马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：周阳君
布图设计创作完成日：2015年4月2日
布图设计首次商业利用日：2016年10月5日
布图设计登记号：BS.175012172
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16768
布图设计名称：40V/3A集成BUCK版图设计
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：东莞市长工微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园4号楼211室
布图设计创作人：欧名礼
布图设计创作完成日：2017年10月8日
布图设计登记号：BS.175012180
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16769
布图设计名称：60V高端驱动器芯片的版图设计
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：东莞市长工微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园4号楼211室
布图设计创作人：李典阳
布图设计创作完成日：2017年10月8日
布图设计登记号：BS.175012199
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16770
布图设计名称：60V半桥驱动电路版图设计
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：东莞市长工微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园4号楼211室
布图设计创作人：李典阳
布图设计创作完成日：2017年10月8日
布图设计登记号：BS.175539316
布图设计申请日：2017年12月4日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16771
布图设计名称：UMC55LL工艺的10Gbps 高速串行接口IP核
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑-存储-其他
布图设计权利人：成都纳能微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
布图设计创作人：成都纳能微电子有限公司
布图设计创作完成日：2016年11月8日
布图设计登记号：BS.175539855
布图设计申请日：2017年12月7日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16772
布图设计名称：耳机喇叭CMOS传感器芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性
布图设计权利人：东莞市源智丽声学有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省东莞市万江街道上甲社区上一居一期二层商务中心写字楼302-303号
布图设计创作人：古文达
布图设计创作完成日：2017年11月10日
布图设计登记号：BS.175539928
布图设计申请日：2017年12月8日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16773
布图设计名称：图像传感器CS3825C
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：珠海市矽旺半导体有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省珠海市高新区唐家湾镇哈工大路2号4栋7楼
布图设计创作人：珠海市矽旺半导体有限公司
布图设计创作完成日：2017年10月12日
布图设计登记号：BS.175539987
布图设计申请日：2017年12月10日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16774
布图设计名称：YMCF80-12
布图设计类别：
结构：Bipolar
技术：其他
功能：其他
布图设计权利人：上海一旻成峰电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市宝山区长逸路188号1幢901室
布图设计创作人：杨友林、朱迁蕾
代理机构：北京维正专利代理有限公司
代理人：郑博文
布图设计创作完成日：2017年12月1日
布图设计登记号：BS.175011990
布图设计申请日：2017年12月3日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16775
布图设计名称：DP4536
布图设计类别：
结构：MOS_Bi-MOS
技术：CMOS_其他
功能：逻辑_线性
布图设计权利人：深圳市德普微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省深圳市南山区高新南四道与科技南十路交汇处创维半导体设计大厦西座7层07-10单元
布图设计创作人：深圳市德普微电子有限公司
代理机构：深圳市康弘知识产权代理有限公司
代理人：胡朝阳
布图设计创作完成日：2016年11月5日
布图设计首次商业利用日：2017年3月5日
布图设计登记号：BS.175535825
布图设计申请日：2017年10月30日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16776
布图设计名称：MC32P7323
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区春晓路439号2号楼
布图设计创作人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计创作完成日：2016年4月13日
布图设计首次商业利用日：2016年6月2日
布图设计登记号：BS.175535833
布图设计申请日：2017年10月30日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16777
布图设计名称：MC30P6020
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区春晓路439号2号楼
布图设计创作人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计创作完成日：2016年12月9日
布图设计首次商业利用日：2017年1月9日
布图设计登记号：BS.175535841
布图设计申请日：2017年10月30日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16778
布图设计名称：MC30P6070
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区春晓路439号2号楼
布图设计创作人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计创作完成日：2016年1月19日
布图设计首次商业利用日：2016年2月14日
布图设计登记号：BS.17553585X
布图设计申请日：2017年10月30日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16779
布图设计名称：MC30P6080
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区春晓路439号2号楼
布图设计创作人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计创作完成日：2015年12月23日
布图设计首次商业利用日：2016年1月23日
布图设计登记号：BS.175535892
布图设计申请日：2017年10月30日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16780
布图设计名称：MC32F7333
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区春晓路439号2号楼
布图设计创作人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计创作完成日：2017年2月27日
布图设计首次商业利用日：2017年3月28日
布图设计登记号：BS.175535930
布图设计申请日：2017年10月30日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16781
布图设计名称：MC35P7041
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区春晓路439号2号楼
布图设计创作人：上海晟矽微电子股份有限公司
布图设计创作完成日：2016年8月18日
布图设计首次商业利用日：2016年9月18日
布图设计登记号：BS.175538921
布图设计申请日：2017年11月29日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16782
布图设计名称：L013 DAC9BIT_PBIAS
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：四川海创天芯科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市中国（四川）自由贸易实验区成都高新区天府三街219号2栋8、9、10、14、17楼
布图设计权利人：成都信息工程大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号
布图设计创作人：杨燕
布图设计创作完成日：2017年11月25日
布图设计登记号：BS.175539197
布图设计申请日：2017年12月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16783
布图设计名称：L014 txdac_cmv_amp
布图设计类别：
结构：Bi-MOS
技术：其他
功能：线性
布图设计权利人：四川海创天芯科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市
中国（四川）自由贸易实验区成都高新区天府三街219号2栋8、9、10、14、17楼
布图设计权利人：成都信息工程大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号
布图设计创作人：杨燕
布图设计创作完成日：2017年12月1日
布图设计登记号：BS.175539952
布图设计申请日：2017年12月8日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16784
布图设计名称：XT539（8位USB单片机）
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：微型计算机
布图设计权利人：广州星坛电子产品有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省广州市高新技术产业开发区科学城科学大道33号B栋三层301-303
布图设计创作人：余得胜
布图设计创作完成日：2017年10月20日
布图设计登记号：BS.175540527
布图设计申请日：2017年12月18日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16785
布图设计名称：View-Port-Transformer
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯视图（常州）微电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省常州市钟楼区常州科技街B座408室
布图设计创作人：李海燕
代理机构：北京酷爱智慧知识产权代理有限公司
代理人：安娜
布图设计创作完成日：2017年11月29日
布图设计登记号：BS.175010501
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16786
布图设计名称：VSIBIR
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子(上海)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2015年4月29日
布图设计登记号：BS.17501051X
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16787
布图设计名称：VSILFRAFE02
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计创作人：芯原微电子(成都)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年4月27日
布图设计登记号：BS.175010528
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16788
布图设计名称：VSIPACORE02
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子(上海)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010536
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16789
布图设计名称：VSIPACORE01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子(上海)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010544
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16790
布图设计名称：VSIR2RDACCORE01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子(上海)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年12月30日
布图设计登记号：BS.175010552
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16791
布图设计名称：VSIPLL18CDM
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计创作人：芯原微电子(成都)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年5月20日
布图设计登记号：BS.175010560
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16792
布图设计名称：VSITEMPSENSOR02
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计创作人：芯原微电子(成都)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年6月20日
布图设计登记号：BS.175010579
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16793
布图设计名称：VSIRTC01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计权利人：芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计创作人：芯原微电子(成都)有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年5月17日
布图设计登记号：BS.175010587
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16794
布图设计名称：VSIMBLAT10FF
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年6月14日
布图设计登记号：BS.175010595
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16795
布图设计名称：VSISMIPSBLK
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年5月3日
布图设计登记号：BS.175010609
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16796
布图设计名称：VSIDCDC01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010617
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16797
布图设计名称：VSIUSB30TXTPC
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年5月3日
布图设计登记号：BS.175010625
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16798
布图设计名称：VSIMIPIDLANE01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月15日
布图设计登记号：BS.175010633
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16799
布图设计名称：VSIMIPI01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月15日
布图设计登记号：BS.175010641
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16800
布图设计名称：VSIDACMATRIX03
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2015年8月15日
布图设计登记号：BS.17501065X
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16801
布图设计名称：VSIBKBT01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010668
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16802
布图设计名称：VSILNACORE02
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010676
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16803
布图设计名称：VSISCRIO
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年6月20日
布图设计登记号：BS.175010684
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16804
布图设计名称：VSISDADC01SDMBLK
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年5月3日
布图设计登记号：BS.175010692
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16805
布图设计名称：VSILVDSTXIO01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2013年12月30日
布图设计登记号：BS.175010706
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16806
布图设计名称：VSILNACORE01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010714
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16807
布图设计名称：VSIPLLVCO03
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年5月3日
布图设计登记号：BS.175010730
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16808
布图设计名称：VSIPGAFP01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
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布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年12月20日
布图设计登记号：BS.175010749
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16809
布图设计名称：VSIMIXERTX01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
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布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010757
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16810
布图设计名称：VSIRCOSC01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
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布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
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布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010765
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16811
布图设计名称：VSIUSB30TPC
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
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布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
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布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年5月3日
布图设计登记号：BS.175010773
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16812
布图设计名称：VSILOLONOP01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
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布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
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布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010781
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16813
布图设计名称：VSILVDSRXIO01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子（北京）有限公司
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布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
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布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2013年12月30日
布图设计登记号：BS.17501079X
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16814
布图设计名称：VSITRIMBIT01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子（北京）有限公司
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布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
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布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
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代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年6月23日
布图设计登记号：BS.175010803
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16815
布图设计名称：VSIPGARFRS01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子（北京）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子（成都）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年12月20日
布图设计登记号：BS.175010811
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16816
布图设计名称：VSIUSB30RXTPC
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子（北京）有限公司
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布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子（成都）有限公司
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布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年5月3日
布图设计登记号：BS.17501082X
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16817
布图设计名称：VSIVTSENSOR01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
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布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子（北京）有限公司
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布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年5月3日
布图设计登记号：BS.175010838
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16818
布图设计名称：VSITIARX01
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子（北京）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子（成都）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2016年6月26日
布图设计登记号：BS.175010846
布图设计申请日：2017年11月1日
公告日期：2018年9月21日
公告号：16819
布图设计名称：VSIMBFF10FF
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：芯原微电子（上海）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人：芯原微电子（北京）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人：芯原微电子（成都）有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
布图设计创作人：芯原微电子（上海）有限公司
代理机构：上海光华专利事务所（普通合伙）
代理人：余明伟
布图设计创作完成日：2017年6月14日