布图设计登记号：BS.185013627
布图设计申请日：2018年11月24日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20527
布图设计名称：XWDPV1A
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：无锡矽微智能科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市新吴区中国传感器大学科技园530大厦C906
布图设计创作人：黄丹、荣俊标、周威威、方震、尹喜珍
代理机构：无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）
代理人：殷红梅
布图设计创作完成日：2018年11月12日
布图设计登记号：BS.185013635
布图设计申请日：2018年11月24日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20528
布图设计名称：XWDPV1B
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：无锡矽微智能科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省无锡市新吴区中国传感器大学科技园530大厦C906
布图设计创作人：王婵、荣俊标、周威威、方震、尹喜珍
代理机构：无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）
代理人：殷红梅
布图设计创作完成日：2018年11月12日
布图设计登记号：BS.18557324X
布图设计申请日：2018年12月7日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20529
布图设计名称：一种传感器接口电路的设计版图
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：秦皇岛中科纳川电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：河北省秦皇岛市经济技术开发区数谷翔园1号楼
布图设计创作人：张旭
布图设计创作完成日：2018年5月7日
布图设计登记号：BS.18557419X
布图设计申请日：2018年12月17日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20530
布图设计名称：多通道信号处理采样模数转换芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：线性-其他
布图设计权利人：南京南瑞微电子技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：江苏省南京市雨花台区软件大道180号6栋1楼
布图设计创作人：许鹏、张弛、徐鸿达、汤颢
代理机构：北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人：王斌
布图设计创作完成日：2017年11月29日
布图设计登记号：BS.185013511
布图设计申请日：2018年11月23日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20531
布图设计名称：ADJ编解码芯片
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：中国电子科技集团公司第20研究所
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：陕西省西安市雁塔区白沙路1号
布图设计创作人：张琦、马跃、操炜鼎、张帆、张文华
代理机构：西北工业大学专利中心
代理人：吕湘连
布图设计创作完成日：2018年6月3日
布图设计登记号：BS.185013864
布图设计申请日：2018年11月30日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20532
布图设计名称：RTC
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：珠海亿智电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省珠海市珠海高新区唐家湾镇港乐路8号大洲科技园B区厂房803室
布图设计创作人：文赞、刘小文
布图设计创作完成日：2018年10月26日
布图设计登记号：BS.185013872
布图设计申请日：2018年11月30日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20533
布图设计名称：DPLL
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：珠海亿智电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省珠海市珠海高新区唐家湾镇港乐路8号大洲科技园B区厂房803室
布图设计创作人：文赞、刘小文
布图设计创作完成日：2018年7月18日
布图设计登记号：BS.185560741
布图设计申请日：2018年8月7日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20534
布图设计名称：带隙基准电路
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：其他
布图设计权利人：长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人：肖珺
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：董琳
布图设计创作完成日：2018年5月29日
布图设计登记号：BS.185569773
布图设计申请日：2018年11月7日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20535
布图设计名称：64层3D NAND 中的GBSG信号产生电路
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人：冯真真、李辰阳
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：董琳
布图设计创作完成日：2018年6月3日
布图设计登记号：BS.18556979X
布图设计申请日：2018年11月7日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20536
布图设计名称：64层3D NAND 中的GLOBAL_VZONE_SW电路
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人：冯真真、李辰阳
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：董琳
布图设计创作完成日：2018年5月9日
布图设计登记号：BS.185570275
布图设计申请日：2018年11月14日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20537
布图设计名称：64层3D NAND 中的GTSG信号产生电路
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人：冯真真、李辰阳
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：董琳
布图设计创作完成日：2018年6月5日
布图设计登记号：BS.185570283
布图设计申请日：2018年11月14日
公告日期：2019年11月13日
公告号：20538
布图设计名称：64层3D NAND 中的VSSX_MUX_PERI电路
布图设计类别：
结构：MOS
技术：CMOS
功能：逻辑
布图设计权利人：长江存储科技有限责任公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
布图设计创作人：冯真真、李辰阳
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）
代理人：董琳
布图设计创作完成日：2018年5月22日