著录项目变更：2022年8月30日生效
布图登记号： BS.215509412
布图设计名称：一种16通道跨阻放大器芯片
布图设计申请日： 2021年1月26日
原权利人
权利人名称：宁波芯辉科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省宁波市海曙区高桥镇汇贤路388号高桥商会大厦10层
权利人邮编：315174
现权利人
权利人名称：西安芯辉光电科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：陕西省西安市高新区高新六路38号西安腾飞创新中心B座4层01室
权利人邮编：710075
著录项目变更：2022年8月22日生效
布图登记号： BS.215543920
布图设计名称：用电器功率识别控制单元芯片
布图设计申请日： 2021年4月22日
原权利人
权利人名称：陈义
权利人国籍：中国
权利人地址：湖南省长沙市岳麓区云栖路云栖谷
权利人邮编：410000
权利人名称：湖南工业职业技术学院
权利人国籍：中国
权利人地址：湖南省长沙市韶山中路376号
权利人邮编：410208
权利人名称：深圳市柚子智能科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区龙岗街道南联社区宝南路87号惠华印刷厂201
权利人邮编：518000
权利人名称：成文卫
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区南联满京华喜悦里12栋609室
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：陈义
权利人国籍：中国
权利人地址：湖南省长沙市岳麓区云栖路云栖谷
权利人邮编：410000
权利人名称：湖南工业职业技术学院
权利人国籍：中国
权利人地址：湖南省长沙市韶山中路376号
权利人邮编：410208
权利人名称：京云柚子科技（深圳）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区龙岗街道南联社区银翠路6号满京华喜悦里华庭二期12座608
权利人邮编：518000
权利人名称：成文卫
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区南联满京华喜悦里12栋609室
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年8月19日生效
布图登记号： BS.215584333
布图设计名称：一种高频电源的检测芯片
布图设计申请日： 2021年7月15日
原联系人
联系人姓名：张鑫
联系人邮编：215000
联系人地址：江苏省苏州市姑苏区人民路280号宏运大厦602室
变更后联系人
联系人姓名：徐香
联系人邮编：215000
联系人地址：江苏省苏州市姑苏区人民路280号宏运大厦507室
著录项目变更：2022年8月19日生效
布图登记号： BS.21558452X
布图设计名称：Ytwdz0021
布图设计申请日： 2021年7月16日
原权利人
权利人名称：裕太微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省常州市高新区科灵路78号4号楼201室
权利人邮编：215159
现权利人
权利人名称：裕太微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省苏州市高新区科灵路78号4号楼201室
权利人邮编：215159
著录项目变更：2022年8月19日生效
布图登记号： BS.215586093
布图设计名称：ER88577B
布图设计申请日： 2021年7月20日
原布图设计名称：ER88477B
变更后布图设计名称：ER88577B
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215589696
布图设计名称：DMOS功率芯片VS12015CAAQ
布图设计申请日： 2021年7月27日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215589890
布图设计名称：DMOS功率芯片VS20270CA4Q
布图设计申请日： 2021年7月27日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215589955
布图设计名称：DMOS功率芯片VS6613GS
布图设计申请日： 2021年7月27日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215589971
布图设计名称：DMOS功率芯片VS20031CA6Q
布图设计申请日： 2021年7月27日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215589998
布图设计名称：DMOS功率芯片VSP004N10MS-K
布图设计申请日： 2021年7月27日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年8月19日生效
布图登记号： BS.215596137
布图设计名称：离子注入机离子分析智能控制电路
布图设计申请日： 2021年8月9日
原权利人
权利人名称：江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省连云港市张家港市杨舍镇福新路2号1(张家港国家再制造产业示范基地)
权利人邮编：215627
现权利人
权利人名称：江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号1（张家港国家再制造产业示范基地）
权利人邮编：215627
著录项目变更：2022年8月19日生效
布图登记号： BS.215596153
布图设计名称：扩散炉运行工况监控电路
布图设计申请日： 2021年8月9日
原权利人
权利人名称：江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省连云港市张家港市杨舍镇福新路2号1(张家港国家再制造产业示范基地)
权利人邮编：215627
现权利人
权利人名称：江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号1（张家港国家再制造产业示范基地）
权利人邮编：215627
专有权的转移：2022年8月22日生效
布图登记号： BS.215598776
布图设计名称：安全认证芯片se1中New RRAM
布图设计申请日： 2021年8月13日
原权利人
权利人名称：昕原半导体（上海）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
权利人邮编：201315
现权利人
权利人名称：昕原半导体（杭州）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1788号
权利人邮编：311305
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215601335
布图设计名称：DMOS功率芯片VS1605APM
布图设计申请日： 2021年8月18日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215601351
布图设计名称：DMOS功率芯片VST006N15HS-G
布图设计申请日： 2021年8月18日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215601394
布图设计名称：DMOS功率芯片VS3615GE
布图设计申请日： 2021年8月18日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215601424
布图设计名称：DMOS功率芯片VSE007N04MS-G
布图设计申请日： 2021年8月18日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215601475
布图设计名称：DMOS功率芯片VSE009NE6MS-G
布图设计申请日： 2021年8月18日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年9月8日生效
布图登记号： BS.215601491
布图设计名称：DMOS功率芯片VS8402AMH
布图设计申请日： 2021年8月18日
原权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编：518000
著录项目变更：2022年8月19日生效
布图登记号： BS.215602552
布图设计名称：MAP1601固态硬盘控制芯片
布图设计申请日： 2021年8月19日
原权利人
权利人名称：联芸科技（杭州）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市滨江区阡陌路459号聚光中心C1座6楼
权利人邮编：310051
现权利人
权利人名称：联芸科技（杭州）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市滨江区西兴街道阡陌路459号C楼C1-604室
权利人邮编：310051