退信公告：
因申请人地址不明，下列布图设计申请的有关文件无法送达，自公告之日起一个月内，申请人应当与专利局联系，领取有关文件，期满未办理上述手续的，专利局将依据集成电路布图设计保护条例及其实施细则的规定对该申请作出相应决定。
布图设计申请号：165007044
收件人：谢晓秋
文件名称：专有权终止通知书
布图设计申请号：165009586
收件人：曾朝斌
文件名称：专有权终止通知书
著录项目变更公告：
著录项目变更：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.195020650
布图设计名称：IC1
布图设计申请日：2019年12月19日
原权利人
权利人名称：成都华芯天微科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府五街200号1号楼3层 A、B区
权利人邮编：610000
现权利人
权利人名称：成都华芯天微科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市成华区华月路199号金地威新成华创新基地5幢 C1-5层
权利人邮编：610000
著录项目变更：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.19558323X
布图设计名称：可配置4×4面阵激光测距接收芯片（S3）
布图设计申请日：2019年3月14日
原权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
现权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
著录项目变更：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.205002935
布图设计名称：PS02101
布图设计申请日：2020年3月17日
原权利人
权利人名称：成都华芯天微科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府五街200号1号楼3层 A、B区
权利人邮编：610000
现权利人
权利人名称：成都华芯天微科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市成华区华月路199号金地威新成华创新基地5幢 C1-5层
权利人邮编：610000
著录项目变更：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.205548334
布图设计名称：单光子 TOF单点测距芯片VI4300
布图设计申请日：2020年7月6日
原权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
现权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
著录项目变更：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.205575218
布图设计名称：单光子 TOF单点测距芯片VANGOGH
布图设计申请日：2020年9月21日
原权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
现权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
专有权的转移：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.21550531X
布图设计名称：点对点超清图像处理单元电路
布图设计申请日：2021年1月17日
原权利人
权利人名称：杭州童湘科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市余杭区仓前街道龙潭路16号1幢南3楼326室
权利人邮编：310000
现权利人
权利人名称：江苏紫火信息科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南通市经济技术开发区中央路51号内1幢410-1室
权利人邮编：226000
原联系人
联系人姓名：郑如军
联系人邮编：310000
联系人地址：浙江省杭州市余杭区仓前街道龙潭路16号1幢南3楼326室
变更后联系人
联系人姓名：刘梦石
联系人邮编：226000
联系人地址：江苏省南通市崇川区崇和路与江岚街交叉口西200米汇金国际 C座21层
著录项目变更：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.215681916
布图设计名称：方形存内计算单元版图布局设计
布图设计申请日：2021年12月21日
原权利人
权利人名称：北京后摩智能科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市大兴区经济技术开发区科谷一街10号院6号楼3层305A室
权利人邮编：101111
现权利人
权利人名称：后摩智能科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市大兴区经济技术开发区经惠东路7号院1号楼3层301-1室
权利人邮编：100176
著录项目变更：2026年10月14日生效
布图登记号：BS.225523213
布图设计名称：PI5592
布图设计申请日：2022年3月3日
原权利人
权利人名称：深圳精控集成半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南十二路28号康佳研发大厦6A
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：杭州精控集成半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市钱塘区白杨街道科技园路1号2幢3-523-524室
权利人邮编：310000
著录项目变更：2026年9月28日生效
布图登记号：BS.245600205
布图设计名称：XP6100用于交错的三通道连续导通模式功率因数校正控制芯片
布图设计申请日：2024年12月10日
原权利人
权利人名称：北京芯格诺微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区知春路1号学院国际大厦1707
权利人邮编：100191
现权利人
权利人名称：北京芯格诺微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区知春路1号学院国际大厦1707
权利人邮编：100191
著录项目变更：2026年9月28日生效
布图登记号：BS.245600213
布图设计名称：XP7003用于3通道红、绿、蓝Mini-LED或 Micro-LED直接显示芯片
布图设计申请日：2024年12月10日
原权利人
权利人名称：北京芯格诺微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区知春路1号学院国际大厦1707
权利人邮编：100191
现权利人
权利人名称：北京芯格诺微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区知春路1号学院国际大厦1707
权利人邮编：100191
著录项目变更：2026年9月28日生效
布图登记号：BS.245600221
布图设计名称：XP8008用于升压式开关电源的8通道 PM mini-LED背光驱动芯片
布图设计申请日：2024年12月10日
原权利人
权利人名称：北京芯格诺微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区知春路1号学院国际大厦1707
权利人邮编：100191
现权利人
权利人名称：北京芯格诺微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区知春路1号学院国际大厦1707
权利人邮编：100191
专有权的转移：2026年9月30日生效
布图登记号：BS.255506929
布图设计名称：超低功耗联网数据处理芯片
布图设计申请日：2025年2月5日
原权利人
权利人名称：上海司涌信息技术有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市奉贤区奉贤区沪杭公路1588号2幢-1569
权利人邮编：201401
现权利人
权利人名称：上海翀凌信息科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市奉贤区上海市奉贤区航谊路18号3幢9层915室
权利人邮编：201401
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255526725
布图设计名称：基于 PCIE2.0协议的高速存储接口 COMBO PHY IP核
布图设计申请日：2025年4月21日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255526792
布图设计名称：基于 SATA3.0协议的高速存储接口 COMBO PHY IP核设计
布图设计申请日：2025年4月21日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255526857
布图设计名称：基于电源类芯片 USB接口 IP
布图设计申请日：2025年4月21日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255527268
布图设计名称：高精度恒流恒压原边控制达林顿驱动开关
布图设计申请日：2025年4月22日
原权利人
权利人名称：成都启臣微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号7楼703号
权利人邮编：611730
现权利人
权利人名称：成都启臣微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
权利人邮编：611730
原联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：成都高新区合作路309号7楼703号
变更后联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
原创作者：成都启臣微电子股份有限公司
变更后创作者：成都启臣微电子有限公司
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255527357
布图设计名称：高性能恒流恒压原边控制器
布图设计申请日：2025年4月22日
原权利人
权利人名称：成都启臣微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号7楼703号
权利人邮编：611730
现权利人
权利人名称：成都启臣微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
权利人邮编：611730
原联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：成都高新区合作路309号7楼703号
变更后联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
原创作者：成都启臣微电子股份有限公司
变更后创作者：成都启臣微电子有限公司
专有权的转移：2026年9月30日生效
布图登记号：BS.255546319
布图设计名称：HMG15K65DHA
布图设计申请日：2025年6月18日
原权利人
权利人名称：济南千睿新广网络科技合伙企业（普通合伙）
权利人国籍：中国
权利人地址：山东省济南市高新区飞跃大道1966号新建汽车制造业自动化装备生产项目101一层102室
权利人邮编：250104
现权利人
权利人名称：陕西华茂半导体科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：陕西省西安市经济技术开发区凤城五路与明光路十字西北角恒石国际中心 B座2303/06室
权利人邮编：710018
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255548729
布图设计名称：IP_Top集成电路布图
布图设计申请日：2025年6月26日
原联系人
联系人姓名：耿嘉盛
联系人邮编：401120
联系人地址：重庆市渝北区礼嘉金泰智能产业园
变更后联系人
联系人姓名：刘定红
联系人邮编：401120
联系人地址：重庆市两江新区星光五路西希云谷 C座608室
专有权的转移：2026年10月9日生效
布图登记号：BS.255551789
布图设计名称：一种高精度低噪声的低压差线性稳压器
布图设计申请日：2025年7月3日
原权利人
权利人名称：宁波职业技术学院
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省宁波市浙江省宁波市经济技术开发区庐山东路388号
权利人邮编：315800
现权利人
权利人名称：合肥恒泽水利规划设计有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：安徽省合肥市包河区宁国路129号金保中心909室
权利人邮编：230000
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255552742
布图设计名称：高精度高压采样和高压启动模块芯片
布图设计申请日：2025年7月7日
原权利人
权利人名称：成都启臣微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号7楼703号
权利人邮编：611730
现权利人
权利人名称：成都启臣微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
权利人邮编：611730
原联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：成都高新区合作路309号7楼703号
变更后联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
原创作者：成都启臣微电子股份有限公司
变更后创作者：成都启臣微电子有限公司
著录项目变更：2026年10月9日生效
布图登记号：BS.255555156
布图设计名称：工业自动化控制芯片信号调理电路
布图设计申请日：2025年7月15日
原联系人：无
变更后联系人
联系人姓名：张艳丽
联系人邮编：063000
联系人地址：河北省唐山市高新技术开发区大庆道南侧卫国路西侧1698号（唐山科技中心）A座第1层 A区14号
原代理机构
代理机构代码：44952
代理机构名称：深圳海豚知识产权代理事务所（普通合伙）
代理机构地址：深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路8号创维创新谷2#楼 A1312
代理机构邮编：518100
变更后代理机构
代理机构代码：44952
代理机构名称：深圳海豚知识产权代理事务所（普通合伙）
代理机构地址：深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路8号创维创新谷2#楼 A1312
代理机构邮编：518100
原代理师
代理师1资格证号码：4446387
代理师1姓名：董会明
变更后代理师：无
著录项目变更：2026年10月9日生效
布图登记号：BS.255555806
布图设计名称：工业自动化控制系统电源管理电路
布图设计申请日：2025年7月17日
原联系人：无
变更后联系人
联系人姓名：张艳丽
联系人邮编：063000
联系人地址：河北省唐山市高新技术开发区大庆道南侧卫国路西侧1698号（唐山科技中心）A座第1层 A区14号
原代理机构
代理机构代码：44952
代理机构名称：深圳海豚知识产权代理事务所（普通合伙）
代理机构地址：深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路8号创维创新谷2#楼 A1312
代理机构邮编：518100
变更后代理机构
代理机构代码：44952
代理机构名称：深圳海豚知识产权代理事务所（普通合伙）
代理机构地址：深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路8号创维创新谷2#楼 A1312
代理机构邮编：518100
原代理师
代理师1资格证号码：4495246387.4
代理师1姓名：董会明
变更后代理师：无
著录项目变更：2026年9月24日生效
布图登记号：BS.255573421
布图设计名称：高性能以太网交换芯片8290（Arctic.M3）
布图设计申请日：2025年9月10日
原布图设计名称：高性能以太网交换芯片CTC8290（Arctic.M3）
变更后布图设计名称：高性能以太网交换芯片8290（Arctic.M3）
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255583877
布图设计名称：内置 DMODE氮化镓高频率电源开关
布图设计申请日：2025年10月21日
原权利人
权利人名称：成都启臣微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市成都高新区合作路309号7楼703号
权利人邮编：611730
现权利人
权利人名称：成都启臣微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
权利人邮编：611730
原联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：600731
联系人地址：成都高新区合作路309号7楼703号
变更后联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：600731
联系人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
原创作者：成都启臣微电子股份有限公司
变更后创作者：成都启臣微电子有限公司
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.255583974
布图设计名称：高压启动高 PF值低 THD电源控制器
布图设计申请日：2025年10月21日
原权利人
权利人名称：成都启臣微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号7楼703号
权利人邮编：611731
现权利人
权利人名称：成都启臣微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
权利人邮编：611731
原联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611731
联系人地址：成都高新区合作路309号7楼703号
变更后联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611731
联系人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
原创作者：成都启臣微电子股份有限公司
变更后创作者：成都启臣微电子有限公司
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.25558413X
布图设计名称：高功率密度反激电源控制器
布图设计申请日：2025年10月21日
原权利人
权利人名称：成都启臣微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号7楼703号
权利人邮编：611731
现权利人
权利人名称：成都启臣微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
权利人邮编：611731
原联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611731
联系人地址：成都高新区合作路309号7楼703号
变更后联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611731
联系人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
原创作者：成都启臣微电子股份有限公司
变更后创作者：成都启臣微电子有限公司
著录项目变更：2026年9月30日生效
布图登记号：BS.255607474
布图设计名称：使用0.18um CMOS Mix‐Signal工艺的低频 Immobilizer基站芯片（JW_B8001）
布图设计申请日：2025年12月30日
原布图设计名称：使用0.18um CMOS MixSignal工艺的低频 Immobilizer基站芯片（JW_B80001）
变更后布图设计名称：使用0.18um CMOS MixSignal工艺的低频 Immobilizer基站芯片（JW_B8001）
著录项目变更：2026年9月23日生效
布图登记号：BS.265506697
布图设计名称：原边反馈单级 PFC反激电源控制器
布图设计申请日：2026年1月23日
原权利人
权利人名称：成都启臣微电子股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号7楼703号
权利人邮编：611730现权利人
权利人名称：成都启臣微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
权利人邮编：611730
原联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：成都高新区合作路309号7楼703号
变更后联系人
联系人姓名：雍艳
联系人邮编：611730
联系人地址：四川省成都市高新区合作路309号、天欣路151号1栋1层1号附7层702号（自编号）
原创作者：成都启臣微电子股份有限公司
变更后创作者：成都启臣微电子有限公司
著录项目变更：2026年4月1日生效
布图登记号：BS.265521238
布图设计名称：量子随机数安全模组芯片
布图设计申请日：2026年2月25日
原首次商业利用时间：2026年2月25日
变更后首次商业利用时间：无
著录项目变更：2026年9月28日生效
布图登记号：BS.265522730
布图设计名称：电动汽车驱动电机主控MCU芯片
布图设计申请日：2026年3月2日
原创作完成时间：2026年3月26日
变更后创作完成时间：2026年2月26日
原代理机构
代理机构代码：11885
代理机构名称：北京融智邦达知识产权代理事务所（普通合伙）
代理机构地址：北京市海淀区万泉河路68号紫金大厦6层616室
代理机构邮编：100080
变更后代理机构：无
原代理师
代理师1资格证号码：4320642
代理师1姓名：董惠文
变更后代理师：无
专有权的转移：2026年10月8日生效
布图登记号：BS.265526450
布图设计名称：机器人 AI视觉芯片
布图设计申请日：2026年3月9日
原权利人
权利人名称：上海骞虹科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市虹口区中山北二路1515号E段十层1019A室
权利人邮编：200080
现权利人
权利人名称：杭州彩琪科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市上城区九环路9号3幢1楼1074室
权利人邮编：310000
著录项目变更：2026年9月28日生效
布图登记号：BS.265530520
布图设计名称：sskr_SS2301
布图设计申请日：2026年3月13日
原权利人
权利人名称：北京三圣凯瑞科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区永澄北路2号院1号楼 B座一层 B105室
权利人邮编：100096
现权利人
权利人名称：北京三圣凯瑞科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市海淀区永澄北路2号院1号楼3层01
权利人邮编：100096
著录项目变更：2026年9月24日生效
布图登记号：BS.265546605
布图设计名称：LF1钽酸锂基声表面波温度传感器电路设计布局
布图设计申请日：2026年4月2日
原联系人
联系人姓名：张明岚
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403
变更后联系人
联系人姓名：刘远俊
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403前台
著录项目变更：2026年9月24日生效
布图登记号：BS.265546648
布图设计名称：LF2钽酸锂基声表面波湿度传感器电路设计布局
布图设计申请日：2026年4月2日
原联系人
联系人姓名：张明岚
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403
变更后联系人
联系人姓名：刘远俊
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403前台
著录项目变更：2026年9月24日生效
布图登记号：BS.265546672
布图设计名称：LF3钽酸锂基声表面波生物传感器电路设计布局
布图设计申请日：2026年4月2日
原联系人
联系人姓名：张明岚
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403
变更后联系人
联系人姓名：刘远俊
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403前台
著录项目变更：2026年9月24日生效
布图登记号：BS.265546699
布图设计名称：LF4钽酸锂基声表面波应力传感器电路设计布局
布图设计申请日：2026年4月2日
原联系人
联系人姓名：张明岚
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403
变更后联系人
联系人姓名：刘远俊
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403前台
著录项目变更：2026年9月24日生效
布图登记号：BS.265546710
布图设计名称：LF5钽酸锂基声表面波氢气传感器电路设计布局
布图设计申请日：2026年4月2日
原联系人
联系人姓名：张明岚
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403
变更后联系人
联系人姓名：刘远俊
联系人邮编：250117
联系人地址：山东省济南市槐荫区吴家堡街道济南宽禁带半导体产业园 B座403前台