著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.175536368
布图设计名称：基于 P2P协议的高速发送接口 IP核
布图设计申请日：2017年11月2日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.175537453
布图设计名称：SMIC180工艺的1.6G-2.5G高速串行收发器 IP核
布图设计申请日：2017年11月16日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.175538190
布图设计名称：基于 UMC80 eflash工艺的RC环形振荡器
布图设计申请日：2017年11月22日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.175538204
布图设计名称：输出电压在1.8V范围内可调节的 LDO IP
布图设计申请日：2017年11月22日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.195640020
布图设计名称：TRADC280输入驱动电路
布图设计申请日：2019年12月20日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19308室
权利人邮编：200120
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.195640403
布图设计名称：TRSER204C电阻校准器
布图设计申请日：2019年12月23日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19308室
权利人邮编：200120
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.195640640
布图设计名称：TRSER204C线性均衡器
布图设计申请日：2019年12月23日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19308室
权利人邮编：200120
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.195643925
布图设计名称：TRMCU55低频振荡器
布图设计申请日：2019年12月30日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19308室
权利人邮编：200120
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.195644220
布图设计名称：TRMCU55锁相环
布图设计申请日：2019年12月31日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19308室
权利人邮编：200120
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.195644247
布图设计名称：TRMCU55线性稳压器
布图设计申请日：2019年12月31日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19308室
权利人邮编：200120
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.205507840
布图设计名称：基于 SMIC28工艺的多用途高速 SERDES IP核
布图设计申请日：2020年3月9日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.205507883
布图设计名称：基于 TSMC28工艺的两通道10G高速 SERDES IP核
布图设计申请日：2020年3月9日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.205507905
布图设计名称：基于 SMIC14工艺的12.5G高速 SERDES IP核
布图设计申请日：2020年3月9日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.205507921
布图设计名称：基于 SMIC14工艺低功耗小面积的 USB2.0IP核
布图设计申请日：2020年3月9日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.205548377
布图设计名称：单光子 TOF面阵芯片 VI4310（160×120）
布图设计申请日：2020年7月6日
原权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
现权利人
权利人名称：南京芯视界微电子科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦 C座11层
权利人邮编：211800
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.205622267
布图设计名称：TSMC28nm兼容 UTMI的USB2.0 IP核
布图设计申请日：2020年12月18日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215526740
布图设计名称：工程卷线机 PLC控制单元电路设计布图
布图设计申请日：2021年3月18日
原权利人
权利人名称：深圳市红头船建设集团有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市光明区光明街道东周社区木墩村新南区452栋201
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：红头船控股（深圳）集团有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市光明区光明街道光明社区光明大道868号新地中央办公楼2406
权利人邮编：518000
原联系人
联系人姓名：曾慧聪
联系人邮编：518000
联系人地址：广东省深圳市龙华区东环一路油松商务大厦808室
变更后联系人
联系人姓名：蔡煌琪
联系人邮编：518000
联系人地址：广东省深圳市光明区光明街道光明社区光明大道868号新地中央办公楼2406
原创作人：深圳市红头船建设集团有限公司
变更后创作人：红头船控股（深圳）建设集团有限公司
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215526767
布图设计名称：管道切割装置电路设计布图
布图设计申请日：2021年3月18日
原权利人
权利人名称：深圳市红头船建设集团有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市光明区光明街道东周社区木墩村新南区452栋201
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：红头船控股（深圳）集团有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市光明区光明街道光明社区光明大道868号新地中央办公楼2406
权利人邮编：518000
原联系人
联系人姓名：曾慧聪
联系人邮编：518000
联系人地址：广东省深圳市龙华区东环一路油松商务大厦808室
变更后联系人
联系人姓名：蔡煌琪
联系人邮编：518000
联系人地址：广东省深圳市光明区光明街道光明社区光明大道868号新地中央办公楼2406
原创作人：深圳市红头船建设集团有限公司
变更后创作人：红头船控股（深圳）集团有限公司
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.215530292
布图设计名称：工控变频器用控制板
布图设计申请日：2021年3月25日
原权利人
权利人名称：苏州欧利勤电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省苏州市吴中区尧峰路70号海恩德产业园1栋
权利人邮编：215101
现权利人
权利人名称：中亿丰欧利勤（苏州）电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省苏州市吴江区江陵街道交通路1388号2幢
权利人邮编：215200
原代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
变更后代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
原代理人
代理人1工作证号：5021934245.0
代理人1姓名：沈锋
变更后代理人：
代理人1工作证号：1208148
代理人1姓名：刘立春
专有权的转移：2026年9月16日生效
布图登记号：BS.215540662
布图设计名称：电子罗盘导航定位装置电路设计布图
布图设计申请日：2021年4月16日
原权利人
权利人名称：松原市北联科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：吉林省松原市经济技术开发区盼盼大路477号两江高科技产业孵化园区2号办公楼311室
权利人邮编：138000
现权利人
权利人名称：吉林省中微电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：吉林省长春市净月开发区天普路1150号泰豪深蓝国际4号楼21层2101-1室
权利人邮编：130000
专有权的转移：2026年9月16日生效
布图登记号：BS.215540689
布图设计名称：倾角传感器精度校准模块电路设计布图
布图设计申请日：2021年4月16日
原权利人
权利人名称：松原市北联科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：吉林省松原市经济技术开发区盼盼大路477号两江高科技产业孵化园区2号办公楼311室
权利人邮编：138000
现权利人
权利人名称：吉林省中微电子科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：吉林省长春市净月开发区天普路1150号泰豪深蓝国际4号楼21层2101-1室
权利人邮编：130000
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.215561708
布图设计名称：基于 SMIC14工艺的电压检测 IP
布图设计申请日：2021年5月27日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215561767
布图设计名称：基于三星8nm工艺多种协议的通用高性能 SERDES接口 IP
布图设计申请日：2021年5月27日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215561783
布图设计名称：基于 TSMC22工艺的高性能锁相环 IP
布图设计申请日：2021年5月27日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.215561805
布图设计名称：基于 SMIC14SF工艺超低抖动的高性能锁相环 IP
布图设计申请日：2021年5月27日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215660463
布图设计名称：参考时钟接收端电路设计（Ckdrv）
布图设计申请日：2021年11月22日
原权利人
权利人名称：纳能微电子（成都）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市成都高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
现权利人
权利人名称：成都纳能微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：四川省成都市成都高新区益州大道中段1858号4栋5层
权利人邮编：610041
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215668642
布图设计名称：KMS001 UMCP MT6771设计布图
布图设计申请日：2021年12月6日
原权利人
权利人名称：深圳科摩思智能科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房 A栋五层
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳科摩思科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房 A栋五层
权利人邮编：518000
原创作人：深圳科摩思智能科技有限公司
变更后创作人：深圳科摩思科技股份有限公司
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215668669
布图设计名称：KMS002 254D4X MT6771
设计布图
布图设计申请日：2021年12月6日
原权利人
权利人名称：深圳科摩思智能科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房 A栋五层
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳科摩思科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房 A栋五层
权利人邮编：518000
原创作人：深圳科摩思智能科技有限公司
变更后创作人：深圳科摩思科技股份有限公司
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.215668707
布图设计名称：KMS006 153EMMCMT6771设计布图
布图设计申请日：2021年12月6日
原权利人
权利人名称：深圳科摩思智能科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房 A栋五层
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：深圳科摩思科技股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房 A栋五层
权利人邮编：518000
原创作人：深圳科摩思智能科技有限公司
变更后创作人：深圳科摩思科技股份有限公司
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.215680928
布图设计名称：YX2202高性能稳压芯片
布图设计申请日：2021年12月21日
原权利人
权利人名称：武汉喻芯半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港一路7号神州数码武汉科技园1栋2F-201-10室
权利人邮编：430223
现权利人
权利人名称：武汉喻芯半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路29号光谷物联港项目7号楼4层417、418室
权利人邮编：430223
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215688961
布图设计名称：基于7nm工艺的偏置电流放大电路 DSA
布图设计申请日：2021年12月29日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.215689003
布图设计名称：基于7nm工艺的 IDAC的电流偏置电路
布图设计申请日：2021年12月29日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215689046
布图设计名称：基于7nm工艺16位高精度sigma-delta-adc电路
布图设计申请日：2021年12月29日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座615室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215689089
布图设计名称：基于7nm工艺的形成类负电感效应的电感
布图设计申请日：2021年12月29日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.215689100
布图设计名称：基于28nm工艺的 ADC误差校正辅助电路
布图设计申请日：2021年12月29日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.215689941
布图设计名称：基于28nm工艺的时钟占空比调节电路
布图设计申请日：2021年12月30日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.225509164
布图设计名称：基于7nm工艺的 PLL生成时钟精调电路
布图设计申请日：2022年1月20日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.225509245
布图设计名称：基于28nm工艺的 ADC失配误差校正电路
布图设计申请日：2022年1月20日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.225509288
布图设计名称：基于28nm工艺的 DAC相位误差校正电路
布图设计申请日：2022年1月20日
原权利人
权利人名称：上海韬润半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区亮秀路112号Y1座601室
权利人邮编：201200
现权利人
权利人名称：韬润半导体（北京）股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：北京市西城区西外大街136号7层1-22-702b
权利人邮编：100044
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.225522624
布图设计名称：电压基准模块
布图设计申请日：2022年3月2日
原权利人
权利人名称：深圳精控集成半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南十二路28号康佳研发大厦6A
权利人邮编：518000
现权利人
权利人名称：杭州精控集成半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市钱塘区白杨街道科技园路1号2幢3-523-524室
权利人邮编：310000
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.225530392
布图设计名称：PI10804
布图设计申请日：2022年3月23日
原权利人
权利人名称：深圳精控集成半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南十二路28号康佳研发大厦6A
权利人邮编：518057
现权利人
权利人名称：杭州精控集成半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：浙江省杭州市钱塘区白杨街道科技园路1号2幢3-523-524室
权利人邮编：310000
专有权的转移：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.225601443
布图设计名称：YP702530射频功率放大器
布图设计申请日：2022年9月28日
原权利人
权利人名称：厦门英诺迅科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省厦门市海沧区海沧大道551号厦门中心 E座1704室
权利人邮编：361000
现权利人
权利人名称：苏州华士无线科技有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省苏州市工业园区林泉街399号东南大学三江院515-2室
权利人邮编：215123
原代理机构
代理机构代码：32402
代理机构名称：江苏海越律师事务所
代理机构地址：南京市安德门大街57号楚翘城二号商务楼六层
代理机构邮编：210012
变更后代理机构
代理机构代码：32291
代理机构名称：江苏漫修律师事务所
代理机构地址：江苏省南京市建邺区应天大街888号金鹰世界写字楼 A座29楼
代理机构邮编：210000
原代理人
代理人1工作证号：3240208589.1
代理人1姓名：唐小红
变更后代理人：
代理人1工作证号：3229108589.4
代理人1姓名：唐小红
著录项目变更：2026年9月16日生效
布图登记号：BS.245533044
布图设计名称：S23F3
布图设计申请日：2024年5月11日
原权利人
权利人名称：上海复矽微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市浦东新区自由贸易试验区环科路515号313室
权利人邮编：201210
现权利人
权利人名称：上海芯朋微电子有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：上海市崇明区新海镇跃进中路151号5幢（集中登记地）
权利人邮编：201210
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.245606548
布图设计名称：YX3126自适应零极点补偿的大电流线性稳压器
布图设计申请日：2024年12月30日
原权利人
权利人名称：武汉喻芯半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港一路7号神州数码武汉科技园1栋2F-201-10室
权利人邮编：430071
现权利人
权利人名称：武汉喻芯半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路29号光谷物联港项目7号楼4层417、418室
权利人邮编：430071
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.245606556
布图设计名称：YX3126基于电容电阻阵列逐次逼近的模数转换器
布图设计申请日：2024年12月30日
原权利人
权利人名称：武汉喻芯半导体有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港一路7号神州数码武汉科技园1栋2F-201-10室
权利人邮编：430071
现权利人
权利人名称：武汉喻芯半导体股份有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路29号光谷物联港项目7号楼4层417、418室
权利人邮编：430071
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.255501528
布图设计名称：8800M版图
布图设计申请日：2025年1月8日
原代理机构
代理机构代码：32685
代理机构名称：江苏华进联源知识产权代理有限公司
代理机构地址：江苏省南京市建邺区庐山路188号新地中心一期49楼
代理机构邮编：210019
变更后代理机构
代理机构代码：44224
代理机构名称：华进联合专利商标代理有限公司
代理机构地址：广州市天河区珠江东路6号4501房
代理机构邮编：510623
原代理人
代理人1工作证号：3216302
代理人1姓名：刘伟伟
变更后代理人：
代理人1工作证号：1170723
代理人1姓名：卢焱
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.255540833
布图设计名称：新能源电动车动力系统智能控制器(含系统控制软件)
布图设计申请日：2025年5月30日
原权利人
权利人名称：烨琦科技（福建）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省福州市鼓楼区工业路乌山府8号楼福州同创谷二层201-1
权利人邮编：350000
权利人名称：烨琦科技（厦门）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省厦门市同安区智谷西二路28号 C9幢3005单元之八
权利人邮编：361000
权利人名称：烨琦科技（江苏）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省连云港市自由贸易试验区连云港片区经济技术开发区盐池西路7号办公楼201-229号
权利人邮编：222069
权利人名称：烨琦商贸（福州）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省福州市晋安区日溪乡日溪村坂中19号(乡综合大楼6#楼三层310室)
权利人邮编：350000
权利人名称：福厦金新材料研究院（厦门）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省厦门市湖里区钟岭路68号9011室
权利人邮编：361000
现权利人
权利人名称：福州人形机器人创新中心有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省福州市闽清县梅城镇梅城大街22号2楼
权利人邮编：350000
权利人名称：烨琦科技（厦门）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省厦门市同安区智谷西二路28号 C9幢3005单元之八
权利人邮编：361000
权利人名称：烨琦科技（江苏）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：江苏省连云港市自由贸易试验区连云港片区经济技术开发区盐池西路7号办公楼201-229号
权利人邮编：222069
权利人名称：烨琦科技(福州)有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省福州市鼓楼区工业路乌山府8号楼福州同创谷二层212-3
权利人邮编：350000
权利人名称：福厦金新材料研究院（厦门）有限公司
权利人国籍：中国
权利人地址：福建省厦门市湖里区钟岭路68号9011室
权利人邮编：361000
著录项目变更：2026年9月18日生效
布图登记号：BS.255602898
布图设计名称：支持 FHD分辨率的增强型AMOLED显示触控驱动芯片
布图设计申请日：2025年12月19日
原创作人：黃浚男
变更后创作人：黄浚男
著录项目变更：2026年6月29日生效
布图登记号：BS.265549159
布图设计名称：物联网终端设备边缘处理器电路
布图设计申请日：2026年4月7日
原联系人：无
变更后联系人
联系人姓名：陈星
联系人邮编：518000
联系人地址：深圳市龙华区龙华街道清华社区龙华大道4549号卫东龙商务大厦 A栋1812
原代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
变更后代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
原代理人
代理人1工作证号：3445455
代理人1姓名：张子俊
变更后代理人：无
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.265549515
布图设计名称：20V 3.8mR MOS集成电路布图设计（AST22K0D02LA1E）
布图设计申请日：2026年4月8日
原布图设计名称：20V 3.8mR MOS集成电路布图设计
变更后布图设计名称：20V 3.8mR MOS集成电路布图设计（AST22K0D02LA1E）
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.265549604
布图设计名称：45V 2.9mRMMOS集成电路布图设计（ASS16K5NE4MA1）
布图设计申请日：2026年4月8日
原布图设计名称：45V 2.9mR MOS集成电路布图设计
变更后布图设计名称：45V 2.9mRMMOS集成电路布图设计（ASS16K5NE4MA1）
著录项目变更：2026年6月26日生效
布图登记号：BS.265549906
布图设计名称：微量氢探测仪集成电路
布图设计申请日：2026年4月8日
原联系人：无
变更后联系人
联系人姓名：张继忠
联系人邮编：363000
联系人地址：福建省南靖县靖城镇草坂村红塔东路54号中盟科技园9幢102号3层
原代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
变更后代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
原代理人
代理人1工作证号：4417210
代理人1姓名：宋秀丽
变更后代理人：无
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.265550203
布图设计名称：60V1.3mR MOS集成电路布图设计（ASS4880N06MA1）
布图设计申请日：2026年4月8日
原布图设计名称：60V 1.3mR MOS集成电路布图设计
变更后布图设计名称：60V1.3mR MOS集成电路布图设计（ASS4880N06MA1）
著录项目变更：2026年7月24日生效
布图登记号：BS.265550246
布图设计名称：开关柜恒温控制电路
布图设计申请日：2026年4月8日
原联系人
联系人姓名：郑鸿杰
联系人邮编：518129
联系人地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区石背路11号百旺达智能园 C栋三层
变更后联系人
联系人姓名：曾玉琴
联系人邮编：518129
联系人地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区石背路11号百旺达智能园 C栋三层
原代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
变更后代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
原代理人
代理人1工作证号：3630112
代理人1姓名：陈付玉
变更后代理人：无
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.265550270
布图设计名称：60V 2.5mR MOS集成电路布图设计（ASS5010N06MA1）
布图设计申请日：2026年4月8日
原布图设计名称：60V 2.5mR MOS集成电路布图设计
变更后布图设计名称：60V 2.5mR MOS集成电路布图设计（ASS5010N06MA1）
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.26555036X
布图设计名称：100V 2.8mR MOS集成电路布图设计（ASS4880N10MA1）
布图设计申请日：2026年4月8日
原布图设计名称：100V 2.8mR MOS集成电路布图设计
变更后布图设计名称：100V 2.8mR MOS集成电路布图设计（ASS4880N10MA1）
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.265550386
布图设计名称：100V 6.8mRMOS集成电路布图设计（ASS13K0N10MA1）
布图设计申请日：2026年4月8日
原布图设计名称：100V 6.8mR MOS集成电路布图设计
变更后布图设计名称：100V 6.8mRMOS集成电路布图设计（ASS13K0N10MA1）
著录项目变更：2026年9月17日生效
布图登记号：BS.265550408
布图设计名称：120V 3.5mRMOS集成电路布图设计（ASS3500N12MA1）
布图设计申请日：2026年4月8日
原布图设计名称：120V 3.5mR MOS集成电路布图设计
变更后布图设计名称：120V 3.5mRMOS集成电路布图设计（ASS3500N12MA1）
著录项目变更：2026年6月29日生效
布图登记号：BS.26555067X
布图设计名称：移动电源电池管理 IC
布图设计申请日：2026年4月9日
原联系人：无
变更后联系人
联系人姓名：陈星
联系人邮编：518000
联系人地址：深圳市龙华区龙华街道清华社区龙华大道4549号卫东龙商务大厦 A栋1812
原代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
变更后代理机构
代理机构代码：50219
代理机构名称：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理机构地址：重庆市南岸区海铜路1号钻石国际28层-办公1、2、3号
代理机构邮编：400060
原代理人
代理人1工作证号：3445455
代理人1姓名：张子俊
变更后代理人：无