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集成电路布图设计专有权公告(2017年4月26日)
发布时间:2017-04-26

布图设计登记号:BS.165519096
布图设计申请日:2016年11月16日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13837
布图设计名称:USB设备高速锁相环HSPLLFUSB
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2016年11月16日

 


布图设计登记号:BS.16551910X
布图设计申请日:2016年11月16日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13838
布图设计名称:高速USB差分信号发射包络探测器HSUDSSQ
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2016年11月16日

 


布图设计登记号:BS.165519118
布图设计申请日:2016年11月16日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13839
布图设计名称:低压差分输入信号放大器LVDSAMP
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2016年11月16日

 


布图设计登记号:BS.165519126
布图设计申请日:2016年11月16日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13840
布图设计名称:信号放大器偏置电路SAMPBIAS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2016年11月16日

 


布图设计登记号:BS.165519134
布图设计申请日:2016年11月16日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13841
布图设计名称:单端输出高速D触发器SEOHSDFF
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2016年11月16日

 


布图设计登记号:BS.165519142
布图设计申请日:2016年11月16日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13842
布图设计名称:高速USB输出斜率控制电路SRCTRL
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥博融科自动化科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号动漫基地B1楼9层903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2016年11月10日

 


布图设计登记号:BS.165009918
布图设计申请日:2016年10月30日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13843
布图设计名称:ZT630
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市天微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新技术产业园北区紫光信息港A栋10层
布图设计创作人:深圳市天微电子股份有限公司
布图设计创作完成日:2015年5月20日
布图设计首次商业利用日:2015年7月1日

 


布图设计登记号:BS.165010177
布图设计申请日:2016年11月10日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13844
布图设计名称:LINBAO
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海富瀚微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市闵行区吴中路1050号A座703室
布图设计创作人:刘翔、刘文江
布图设计创作完成日:2016年8月1日

 


布图设计登记号:BS.165010584
布图设计申请日:2016年11月12日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13845
布图设计名称:NS4110
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市纳芯威科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市高新区中区深圳软件园4栋316-320
布图设计创作人:王菊梅
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年2月1日
布图设计首次商业利用日:2016年8月1日

 


布图设计登记号:BS.165010592
布图设计申请日:2016年11月12日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13846
布图设计名称:NS1028
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市纳芯威科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市高新区中区深圳软件园4栋316-320
布图设计创作人:王文荣
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年4月1日
布图设计首次商业利用日:2016年10月1日

 


布图设计登记号:BS.165010606
布图设计申请日:2016年11月12日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13847
布图设计名称:NS6112
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市纳芯威科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市高新区中区深圳软件园4栋316-320
布图设计创作人:王文荣
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年4月1日
布图设计首次商业利用日:2016年10月1日

 


布图设计登记号:BS.165010614
布图设计申请日:2016年11月12日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13848
布图设计名称:NS8258
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市纳芯威科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市高新区中区深圳软件园4栋316-320
布图设计创作人:王菊梅
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年1月1日
布图设计首次商业利用日:2016年6月1日

 


布图设计登记号:BS.165010622
布图设计申请日:2016年11月12日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13849
布图设计名称:NS1022
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市纳芯威科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市高新区中区深圳软件园4栋316-320
布图设计创作人:王文荣
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年5月1日
布图设计首次商业利用日:2016年11月1日

 


布图设计登记号:BS.165011246
布图设计申请日:2016年11月29日
公告日期:2017年4月26日
公告号:13850
布图设计名称:XR819
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳芯之联科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区南头街道关口二路智恒产业园6栋501
布图设计创作人:深圳芯之联科技有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡吉科
布图设计创作完成日:2015年5月15日