布图设计登记号：BS.165013052
布图设计申请日：2016年12月16日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14501
布图设计名称：AD8233
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：程晨
布图设计创作完成日：2015年10月23日
布图设计首次商业利用日：2016年1月22日

布图设计登记号：BS.165013060
布图设计申请日：2016年12月16日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14502
布图设计名称：ADUM4136_IC1
布图设计类别：
    结构：Bi-MOS
    技术：CMOS
    功能：线性
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：程晨
布图设计创作完成日：2015年12月22日
布图设计首次商业利用日：2016年2月26日

布图设计登记号：BS.165013087
布图设计申请日：2016年12月16日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14503
布图设计名称：ADL5567
布图设计类别：
    结构：其他
    技术：其他
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：程晨
布图设计创作完成日：2015年5月18日
布图设计首次商业利用日：2015年10月20日

布图设计登记号：BS.165013095
布图设计申请日：2016年12月17日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14504
布图设计名称：无极性迟滞比较器
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：湘潭大学
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学
布图设计创作人：金湘亮、张文杰、杨红姣、杨凤、谢亮
布图设计创作完成日：2016年9月14日

布图设计登记号：BS.175001235
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14505
布图设计名称：ADUM14XTC_130_R1
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
布图设计创作完成日：2014年9月28日
布图设计首次商业利用日：2015年3月8日

布图设计登记号：BS.175001243
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14506
布图设计名称：ADUM4121_IC1
布图设计类别：
    结构：Bi-MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
布图设计创作完成日：2015年1月23日
布图设计首次商业利用日：2015年9月28日

布图设计登记号：BS.175001251
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14507
布图设计名称：AD9171-AD9172-AD80399-82(TMIB72-A4)
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：金晓
布图设计创作完成日：2016年6月1日
布图设计首次商业利用日：2016年9月16日

布图设计登记号：BS.17500126X
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14508
布图设计名称：AD9171-AD9172-AD80399-82(TMFG68_C20)
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
布图设计创作完成日：2015年8月18日
布图设计首次商业利用日：2015年12月8日

布图设计登记号：BS.175001278
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14509
布图设计名称：ADUM14XTC_131_R1
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
布图设计创作完成日：2014年9月28日
布图设计首次商业利用日：2015年3月8日

布图设计登记号：BS.175001286
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14510
布图设计名称：ADUM14X1C_131_R2
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
布图设计创作完成日：2014年9月28日
布图设计首次商业利用日：2015年3月8日

布图设计登记号：BS.175001294
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14511
布图设计名称：HMC8200LP5ME
布图设计类别：
    结构：Bipolar
    技术：其他
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
布图设计创作完成日：2014年9月10日
布图设计首次商业利用日：2015年4月28日

布图设计登记号：BS.175001308
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14512
布图设计名称：ADUM14XIC_130_R2
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：欧阳帆
布图设计创作完成日：2014年9月28日
布图设计首次商业利用日：2015年3月8日

布图设计登记号：BS.175001316
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14513
布图设计名称：AD7616
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：程晨
布图设计创作完成日：2016年5月24日
布图设计首次商业利用日：2016年9月21日

布图设计登记号：BS.175522820
布图设计申请日：2017年2月21日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14514
布图设计名称：SHGP_HGMN039A
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：NMOS
    功能：其他
布图设计权利人：上海格瑞宝电子有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号905B室
布图设计创作人：高盼盼、代萌
布图设计创作完成日：2016年7月18日
布图设计首次商业利用日：2016年9月30日

布图设计登记号：BS.175001324
布图设计申请日：2017年2月22日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14515
布图设计名称：HMC8100LP6JE
布图设计类别：
    结构：Bi-MOS
    技术：其他
    功能：其他
布图设计权利人：美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍：美国
布图设计权利人地址：马萨诸塞州
布图设计创作人：美国亚德诺半导体公司
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：申发振
布图设计创作完成日：2014年9月10日
布图设计首次商业利用日：2015年4月28日

布图设计登记号：BS.175523509
布图设计申请日：2017年3月1日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14516
布图设计名称：120×90微辐射计专用处理芯片
布图设计类别：
    结构：MOS
    技术：CMOS
    功能：线性
布图设计权利人：合肥立博敏芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：安徽省合肥市合肥高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期F1楼十二层1205室
布图设计创作人：李宏博
布图设计创作完成日：2017年2月28日

布图设计登记号：BS.175000654
布图设计申请日：2017年2月8日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14517
布图设计名称：G170QN
布图设计类别：
    结构：Bipolar
    技术：其他
    功能：其他
布图设计权利人：北京时代华诺科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市朝阳区安翔北里甲11号院1幢B座1003室
布图设计创作人：北京时代华诺科技有限公司
布图设计创作完成日：2016年1月7日
布图设计首次商业利用日：2016年5月2日

布图设计登记号：BS.175000662
布图设计申请日：2017年2月8日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14518
布图设计名称：BTVP016A
布图设计类别：
    结构：Bipolar
    技术：其他
    功能：其他
布图设计权利人：北京时代华诺科技有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：北京市朝阳区安翔北里甲11号院1幢B座1003室
布图设计创作人：北京时代华诺科技有限公司
布图设计创作完成日：2016年2月21日
布图设计首次商业利用日：2016年10月20日

布图设计登记号：BS.175000824
布图设计申请日：2017年2月17日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14519
布图设计名称：SF6010H
布图设计类别：
    结构：Bi-MOS
    技术：CMOS
    功能：线性
布图设计权利人：佛山市南海赛威科技技术有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：广东省佛山市南海区桂城街道深海路17号翰天科技城A区7号楼六楼604单元
布图设计创作人：林凯、唐文波、吴海丹
代理机构：上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人：王松
布图设计创作完成日：2015年7月7日
布图设计首次商业利用日：2015年12月15日

布图设计登记号：BS.175000883
布图设计申请日：2017年2月17日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14520
布图设计名称：MT3X10
布图设计类别：
    结构：Bi-MOS
    技术：其他
    功能：其他
布图设计权利人：上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人：陆游
代理机构：上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人：王松
布图设计创作完成日：2017年1月24日

布图设计登记号：BS.175000891
布图设计申请日：2017年2月17日
公告日期：2017年7月19日
公告号：14521
布图设计名称：三端口垂直霍尔盘
布图设计类别：
    结构：Bi-MOS
    技术：其他
    功能：其他
布图设计权利人：上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍：中国
布图设计权利人地址：上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人：陈志卿
代理机构：上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人：王松
布图设计创作完成日：2017年1月23日