布图设计登记号:BS.165011807 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14556 布图设计名称:M641FA5 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:孙文翔、向可强 布图设计创作完成日:2016年1月10日
布图设计登记号:BS.165011815 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14557 布图设计名称:M641FAD 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:孙文翔、向可强 布图设计创作完成日:2016年1月10日
布图设计登记号:BS.165011823 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14558 布图设计名称:MAF1XB 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:向可强、孙文翔 布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计登记号:BS.165011831 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14559 布图设计名称:MAF1XC 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:向可强、孙文翔 布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计登记号:BS.16501184X 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14560 布图设计名称:MAF1XE 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:向可强、孙文翔 布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计登记号:BS.165011858 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14561 布图设计名称:MAF1YZ2 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:向可强、孙文翔 布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计登记号:BS.165011866 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14562 布图设计名称:MAF1ZO 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:向可强、孙文翔 布图设计创作完成日:2015年8月1日 布图设计首次商业利用日:2015年10月1日
布图设计登记号:BS.165011874 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14563 布图设计名称:MAF1ZR1 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:向可强、孙文翔 布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计登记号:BS.165011882 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14564 布图设计名称:M1068FG1 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:孙文翔、向可强 布图设计创作完成日:2015年8月1日 布图设计首次商业利用日:2015年10月1日
布图设计登记号:BS.165011890 布图设计申请日:2016年12月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14565 布图设计名称:M1068FJ1 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋 布图设计创作人:向可强、孙文翔 布图设计创作完成日:2015年8月1日 布图设计首次商业利用日:2015年10月1日
布图设计登记号:BS.175000816 布图设计申请日:2017年2月17日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14566 布图设计名称:8192×80 元 TDICCD 布图设计类别: 结构:MOS 技术:其他 功能:其他 布图设计权利人:中国电子科技集团公司第44研究所 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:重庆市沙坪坝区南坪花园路14号 布图设计创作人:廖乃镘、李仁豪、刘昌林 代理机构:重庆辉腾律师事务所 代理人:侯懋琪 布图设计创作完成日:2016年10月20日
布图设计登记号:BS.175000921 布图设计申请日:2017年2月16日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14567 布图设计名称:10/12 位用于平面显示器链路 III 的巨涌直流平衡编码和双向控制通道的串化器 MS913 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS_其他 功能:逻辑 布图设计权利人:杭州瑞盟科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:浙江省杭州市滨江区伟业路1号9号楼7F 布图设计创作人:马桂容、陆晓云、曹爱国、左海岸、章海平 代理机构:杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 代理人:付建中 布图设计创作完成日:2016年7月11日 布图设计首次商业利用日:2017年1月9日
布图设计登记号:BS.175000948 布图设计申请日:2017年2月16日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14568 布图设计名称:低功耗、低噪声 CMOS 轨到轨输入输出运算放大器 MS8617 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS_其他 功能:逻辑_线性 布图设计权利人:杭州瑞盟科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:浙江省杭州市滨江区伟业路1号9号楼7F 布图设计创作人:马桂容、王建国 代理机构:杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 代理人:付建中 布图设计创作完成日:2016年8月21日 布图设计首次商业利用日:2016年11月17日
布图设计登记号:BS.175000956 布图设计申请日:2017年2月14日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14569 布图设计名称:NL0253 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性 布图设计权利人:上海南麟电子股份有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A座 布图设计创作人:吴国平、周尧、蒋小强、崔凤敏 代理机构:上海翰信知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人:王莹 布图设计创作完成日:2016年4月10日
布图设计登记号:BS.175000964 布图设计申请日:2017年2月14日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14570 布图设计名称:NL0246 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性 布图设计权利人:上海南麟电子股份有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A座 布图设计创作人:吴国平、周尧、蒋小强、崔凤敏 代理机构:上海翰信知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人:王莹 布图设计创作完成日:2016年4月10日
布图设计登记号:BS.175000972 布图设计申请日:2017年2月14日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14571 布图设计名称:NL0260 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性 布图设计权利人:上海南麟电子股份有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A座 布图设计创作人:吴国平、周尧、蒋小强、崔凤敏 代理机构:上海翰信知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人:王莹 布图设计创作完成日:2016年4月10日
布图设计登记号:BS.175522111 布图设计申请日:2017年2月7日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14572 布图设计名称:宙其AC1002 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:微型计算机 布图设计权利人:杭州宙其科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:浙江省杭州市西湖区文三路408号中电5号楼519室 布图设计创作人:吕冬明、王静、葛海通、刘兵 布图设计创作完成日:2016年10月24日
布图设计登记号:BS.175523495 布图设计申请日:2017年3月1日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14573 布图设计名称:测温传感器450K分辨率专用处理芯片 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性 布图设计权利人:合肥立博敏芯电子科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:安徽省合肥市合肥高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期F1楼十二层1205室 布图设计创作人:李宏博 布图设计创作完成日:2015年12月10日
布图设计登记号:BS.175523517 布图设计申请日:2017年3月1日 公告日期:2017年7月26日 公告号:14574 布图设计名称:256×192微辐射计专用处理芯片 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性 布图设计权利人:合肥立博敏芯电子科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:安徽省合肥市合肥高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期F1楼十二层1205室 布图设计创作人:李宏博 布图设计创作完成日:2017年1月4日
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